MK(H)x75 MK75, Modul Thyristor Padam Cepat, Penyejukan Udara

VRRM,VDRM

Jenis & Garis Besar

600V

MKx75-06-216F3B

MHx75-06-216F3B

800V

MKx75-08-216F3B

MHx75-08-216F3B

1000V

MKx75-10-216F3B

MHx75-10-216F3B

1200V

MKx75-12-216F3B

MHx75-12-216F3B

1400V

MKx75-14-216F3B

MHx75-14-216F3B

1600V

MKx75-16-216F3B

MHx75-16-216F3B

1800V

MKx75-18-216F3B

MHx75-18-216F3B

1800V

MK75-18-216F3BG

Simbol

Ciri-ciri

Keadaan Ujian

Tj( 。C)

Nilai

Unit

Min

TAIP

Max

IT ((AV)

Purata semasa keadaan

180。gelombang sinus separuh 50Hz Sisi tunggal sejuk,Tc=85 。C

125

75

A

IT(RMS)

Arus keadaan RMS

118

A

Idrm Irrm

Arus puncak berulang

di VDRM di VRRM

125

30

mA

Saya _TSM

Tambah semasa semasa

10ms gelombang separuh sinus VR=60%VRRM

125

1.6

kA

Saya ²t

I2t untuk penyelarasan pencairan

13

10³A ²s

V _Kepada

Voltan Ambang

125

1.50

V

rt

Rintangan cerun pada keadaan aktif

4.00

mΩ

V _TM

Voltan puncak semasa keadaan

ITM=225A

25

2.53

V

dv/dt

Kadar kritikal peningkatan voltan dalam keadaan mati

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Kadar kritikal peningkatan arus semasa

Sumber gerbang 1.5A

tr ≤0.5μs Berulang

125

200

A/μs

tq

Masa penutupan litar yang disambung

ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs

125

20

40

μs

25

6

16

μs

Saya _GT

Pasukan pemicu gerbang

VA= 12V, IA= 1A

25

30

150

mA

V _GT

Voltan pemicu pintu

0.8

2.5

V

Saya _H

Aktifkan arus

20

200

mA

IL

Arus penguncian

1000

mA

V _GD

Voltan pintu bukan pencetus

VDM= 67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Rintangan terma Junction ke kes

Dingin sebelah tunggal setiap cip

0.20

℃ /W

Rth(c-h)

Rintangan terma kes ke heatsink

Dingin sebelah tunggal setiap cip

0.04

℃ /W

VISO

Voltan pengasingan

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

2500

V

FM

Tork sambungan terminal(M6)

4.5

6.0

N·m

Tork pemasangan(M6)

4.5

6.0

N·m

TVj

Suhu persimpangan

-40

125

℃

TSTG

Suhu simpanan

-40

125

℃

Wt

Berat

320

g

Gambaran Ringkas

216F3B