YMIBD500-33,IGBT modulis,Dubultais slēdzis IGBT,CRRC

(Simbols)

(Parametrs)

(Testa apstākļi)

(vērtība)

(Vienība)

VCES

Sildītājs-izsildītājs

V GE = 0V,Tvj = 25°C

3300

V

V GES

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

V

I C

Kolektors-izsūknis strāvas

T korpuss = 100 °C, Tvj = 150 °C

500

A

I C(PK)

Sildītāja maksimālais strāvas daudzums

1 ms, T gadījumā = 140 °C

1000

A

P max

Maks. tranzistora jaudas izmešana

Tvj = 150°C, T korpuss = 25 °C

5.2

kW

I 2t

Diodes I t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

80

kA2s

Visol

Izolācijas spriegums – uz moduli

Kopējie termināļi uz pamatplates),

AC RMS,1 min, 50Hz

6000

V

Q PD

Daļēja izlāde – uz moduli

IEC1287. V 1 = 3500V, V2 = 2600V, 50Hz RMS, TC = 25 °C

10

pC

T gadījums = 25 ° C T gadījums = 25° C ja nav norādīts

(Sīkāku informāciju )

(Parametrs)

(Testa apstākļi)

(Min )

(Simbols )

(Max )

(Drošības un drošības politika )

I Tips

Kolektors ir pārklāts ar strāvu

V ĢEN gE V CE = V Tips

1

mA

V ĢEN gE V CE = V Tips , T gadījums =

30

mA

V ĢEN gE V CE = V Tips , T gadījums =125 °C

50

mA

I =150 °C

GES pašreiz

V ĢEN vārsta noplūde V CE = ±20V,

1

μA

V ĢEN μA

Izmantošanas ātrums

I C vārsta sliekšņa spriegums mA , V ĢEN = V CE

5.50

6.10

7.00

V

V CE (= 40 )sat

Sātums kolektorā un emitentā spriegums

V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums I C = c  

2.40

2.90

V

V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums I C 500A T vj = 125 °C

2.95

3.40

V

V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums I C 500A T vj = 150 °C

3.10

3.60

V

I F

Dioda virsma uz priekšu

DC

500

A

I Diodes uzpriekšējā strāva

FRM pašreiz

t P = diodes maksimālā uzpriekšējā

1000

A

V F sat

Dioda priekšējā spriegums

I F = c  

2.10

2.60

V

I F 500A T vj = diodes uzpriekšējā spriegums

2.25

2.70

V

I F 500A T vj = 150 °C

2.25

2.70

V

C 125 °C

Ies

V CE ievades kapacitāte V ĢEN gE f = 1= 25V,

90

mHz

Q g

NF

vārsta uzlāde

9

μC

C pretestība

ΜC apgrozījuma pārneses kapacitāte

V CE ievades kapacitāte V ĢEN gE f = 1= 25V,

2

mHz

Garums M

Modulis induktivitāte

25

nH

R INT

Iekšējā tranzistora pretestība

310

μΩ

I SC

Īssaites strāva strāva, I SC

T vj = 150°C, V CC = 2500V, V ĢEN ≤ 15 V, t p ≤ 10μs,

V CE (max ) = V Tips – Garums (*2) × di /dt ,IEC 6074-9

1800

A

td (izslēgt)

Izslēgšanas kavējuma laiks

I C = 500A VCE = 1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH

V GE = ±15V RG(ON) = 3,0Ω RG(OFF) = 4,5Ω

1720

ns

t f

Nolieku laiks

520

ns

E OFF

Izslēgšanas enerģijas zudumi

780

mJ

(td)

Slēgšanas kavējuma laiks

650

ns

tr

Atkāpšanās laiks

260

ns

EON

Ieslēgšanas enerģijas zudums

730

mJ

Qrr

Diodes reversās atgūšanas uzlāde

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

390

μC

I rr

Diodes reversās atgūšanas strāva

420

A

Erec

Diodes reversās atgūšanas enerģija

480

mJ

(Simbols)

(Parametrs)

(Testa apstākļi)

(Min)

(Typ)

(Max)

(Vienība)

td (izslēgt)

Izslēgšanas kavējuma laiks

I C = 500A VCE = 1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3,0Ω RG(OFF) = 4,5Ω

1860

ns

t f

Nolieku laiks

550

ns

E OFF

Izslēgšanas enerģijas zudumi

900

mJ

(td)

Slēgšanas kavējuma laiks

630

ns

tr

pacešanās laiks Atkāpšanās laiks

280

ns

EON

Ieslēgšanas enerģijas zudums

880

mJ

Qrr

Diodes reversās atgūšanas uzlāde

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

620

μC

I rr

Diodes reversās atgūšanas strāva

460

A

Erec

Diodes reversās atgūšanas enerģija

760

mJ

(Simbols)

(Parametrs)

(Testa apstākļi)

(Min)

(Typ)

(Max)

(Vienība)

td (izslēgt)

Izslēgšanas kavējuma laiks

I C = 500A VCE = 1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3,0Ω RG(OFF) = 4,5Ω

1920

ns

t f

Nolieku laiks

560

ns

E OFF

Izslēgšanas enerģijas zudumi

1020

mJ

(td)

Slēgšanas kavējuma laiks

620

ns

tr

Atkāpšanās laiks

280

ns

EON

Ieslēgšanas enerģijas zudums

930

mJ

Qrr

Diodes reversās atgūšanas uzlāde

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

720

μC

I rr

Diodes reversās atgūšanas strāva

490

A

Erec

Diodes reversās atgūšanas enerģija

900

mJ