GD900HFA120C6S,IGBT modulis,STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =90 o C

900

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1800

A

P D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 o C

3409

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

900

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1800

A

I FSM

Pārsprieguma priekšējā strāva t p =10ms @ T j =25 o C @ T j = 150 o C

4100

3000

A

I 2t

I 2t-vērtība,t p =10ms @ T j =25 o C

@ T j = 150 o C

84000

45000

A 2s

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 900A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 o C

1.40

1.85

V

I C = 900A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 o C

1.60

I C = 900A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =175 o C

1.65

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =24.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 o C

5.5

6.3

7.0

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0.5

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V

51.5

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.36

mHz

Q G

NF

V ĢEN =- 15...+15V

13.6

μC

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 900A, R G =0.51Ω, L S =40nH, V ĢEN =-8V/+15V,

T j =25 o C

330

ns

t r

Atkāpšanās laiks

140

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

842

ns

t f

Nolieku laiks

84

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

144

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

87.8

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 900A, R G =0.51Ω, L S =40nH, V ĢEN =-8V/+15V,

T j =125 o C

373

ns

t r

Atkāpšanās laiks

155

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

915

ns

t f

Nolieku laiks

135

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

186

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

104

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 900A, R G =0.51Ω, L S =40nH, V ĢEN =-8V/+15V,

T j =175 o C

390

ns

t r

Atkāpšanās laiks

172

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

950

ns

t f

Nolieku laiks

162

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

209

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

114

mJ

I SC

SC dati

t P ≤8μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3200

A

t P ≤6μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j =175 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3000

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F = 900A,V ĢEN =0V,T j =25 o C

1.55

2.00

V

I F = 900A,V ĢEN =0V,T j =1 25o C

1.65

I F = 900A,V ĢEN =0V,T j =1 75o C

1.55

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F = 900A,

-di/dt=4930A/μs,V ĢEN =-8V, Garums S =40 nH ,T j =25 o C

91.0

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

441

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

26.3

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F = 900A,

-di/dt=4440A/μs,V ĢEN =-8V, Garums S =40 nH ,T j =125 o C

141

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

493

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

42.5

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F = 900A,

-di/dt=4160A/μs,V ĢEN =-8V, Garums S =40 nH ,T j =175 o C

174

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

536

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

52.4

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

R 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe of R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

R CC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

0.80

mΩ

R tJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.044

0.076

K/W

R tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode)

Izmērs: Modulis)

0.028

0.049

0.009

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m.

G

Svars of Modulis

350

g