Īsa ievads
IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1200V 400A.
Funkcijas
- Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
- VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
- Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
- Zema induktivitātes kārta
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
Tipisks Lietojumprogrammas
- Inverteris motora vadībai
- AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
- Nepārtraukta strāva nodrošināšana
Absolūta Maksimāli Reitingu rādītāji T C=25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
Es C |
Kolektora strāva @ T C=25o C
@ T C=90o C
|
595
400
|
A |
Es Cm |
Impulsu kolektora strāva t p = diodes maksimālā uzpriekšējā |
800 |
A |
PD |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175o C |
1875 |
V |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums |
1200 |
V |
Es F |
Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde |
400 |
A |
Es FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
800 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
T jmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūra Darbības diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 mINŪTE |
4000 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents
Sātumapstrādes spriegums
|
Es C=400A,V ĢEN = 15 V, T j =25o C |
|
1.75 |
2.20 |
V
|
Es C=400A,V ĢEN = 15 V, T j =125o C |
|
2.00 |
|
Es C=400A,V ĢEN = 15 V, T j =150o C |
|
2.05 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
Es C= 10.0mA,V CE =V ĢEN , T j =25o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
Es Tips |
Kolektors Griezts – Izslēgt
Pašreizējais
|
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
Es =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Stienis Gint |
Iekšējā vārtu pretestība - - - - |
|
|
0.5 |
|
ω |
C125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz,
V ĢEN =0V
|
|
37.3 |
|
mHz |
Cpretestība |
Atgriezītais pārvedums
Jauda
|
|
1.04 |
|
mHz |
J G |
NF |
V ĢEN =- 15...+15V |
|
2.80 |
|
μC |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C=400A, Stienis G=2.0Ω,
V ĢEN =±15V, T j =25o C
|
|
205 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
77 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
597 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
98 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
18.8 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
32.3 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C=400A, Stienis G=2.0Ω,
V ĢEN =±15V, T j = 125o C
|
|
214 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
86 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
626 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
137 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
28.4 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
48.9 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C=400A, Stienis G=2.0Ω,
V ĢEN =±15V, T j = 150o C
|
|
198 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
94 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
646 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
147 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
30.8 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
53.8 |
|
mJ |
|
Es SC
|
SC dati
|
t P≤ 10 μs,V ĢEN = 15 V,
T j =150o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
1440
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V F
|
Diode uz priekšu
Spriegums
|
Es F =400A,V ĢEN =0V,T j =25o C |
|
1.75 |
2.15 |
V
|
Es F =400A,V ĢEN =0V,T j = 125o C |
|
1.65 |
|
Es F =400A,V ĢEN =0V,T j = 150o C |
|
1.65 |
|
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F =400A,
-di/dt=5000A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25o C
|
|
40 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
299 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
20.0 |
|
mJ |
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F =400A,
-di/dt=5000A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 125o C
|
|
70 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
399 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
38.4 |
|
mJ |
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F =400A,
-di/dt=5000A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150o C
|
|
80 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
419 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
43.9 |
|
mJ |
Modulis Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
LCE |
Neatklāta induktantība |
|
15 |
|
nH |
Stienis CC+EE |
Modulā "Slēpuma pretestība" nce, termināls uz čipu |
|
0.25 |
|
mΩ |
Stienis tJC |
Savienojums ar lietu (par IGB) T)
Savienojums ar korpusu (par Di) ode)
|
|
|
0.080
0.095
|
K/W |
|
Stienis tCH
|
Izmērs: IGBT)
Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)
Izmērs: Modulis)
|
|
0.037
0.044
0.010
|
|
K/W |
M |
Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.m. |
G |
Svars no Modulis |
|
300 |
|
g |
EN
