Īss ievads   
IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1200V 400A. 
Īpašības 
- NPT IGBT tehnoloģija 
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja 
- Zemas slēgšanas zudumi 
- Smalkas un ātrās 
- VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu 
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD 
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju 
Tipiska  Lietojumi 
- Slēgšanas režīma barošanas avots 
- Induktīvā sildīšana 
- Elektriskās sārgmašīnas 
Absolūta  Maksimālā  Reitingu rādītāji  T C   =25 o   C    ja  norādīts  atzīmēts 
IGBT 
 
| Sīkāku informāciju  | Apraksts  | Vērtību  | Drošības un drošības politika  | 
| V Tips  | Sildītājs-izsildītājs  | 1200 | V  | 
| V =150 °C  | Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums  | ±20  | V  | 
| I C    | Kolektora strāva @ T   C   =25 o   C    @ T C   =60 o   C    | 505 400 | A  | 
| I CM  | Impulsu kolektora strāva t   p   =1ms  | 800 | A  | 
| P   D    | Maksimālā jauda Dissipācija @ T j = 150 o   C    | 2358 | Platums    | 
Dioda 
 
| Sīkāku informāciju  | Apraksts  | Vērtību  | Drošības un drošības politika  | 
| V RRM  | Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums  | 1200 | V  | 
| I F    | Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde  | 400 | A  | 
| I FM  | Diodes maksimālā priekšējā strāva t   p   =1ms  | 800 | A  | 
Modulis 
 
| Sīkāku informāciju  | Apraksts  | Vērtību  | Drošības un drošības politika  | 
| T jmax  | Maksimālā savienojuma temperatūra  | 150 | o   C    | 
| T žop  | Darbības savienojuma temperatūra  | -40 līdz +125  | o   C    | 
| T STG  | Uzglabāšanas temperatūra   Diapazons  | -40 līdz +125  | o   C    | 
| V ISO  | Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min    | 2500 | V  | 
IGBT  Raksturlielumi  T C   =25 o   C    ja  norādīts  atzīmēts 
 
| Sīkāku informāciju  | Parametrs    | Testēšanas apstākļi  | Min.  | Tips.  | Max.  | Drošības un drošības politika  | 
|   V CE (sat)  | Saņēmējs - emitents  Sātumapstrādes spriegums  | I C   =400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums  T j =25 o   C    |   | 2.90 | 3.35 |   V  | 
| I C   =400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums  T j =125 o   C    |   | 3.60 |   | 
| V ĢEN (ts ) | Vārda emitenta slieksnis  Spriegums    | I C   =4,0 mA ,V CE   = V ĢEN , T j =25 o   C    | 5.0 | 5.8 | 6.6 | V  | 
| I Tips  | Kolektors  Izgriežts -Izslēgt  Pašreiz  | V CE   = V Tips ,V ĢEN =0V,  T j =25 o   C    |   |   | 5.0 | mA  | 
| I =150 °C  | Izslēguma emitenta noplūde  Pašreiz  | V ĢEN = V =150 °C ,V CE   =0V, T j =25 o   C    |   |   | 400 | nA  | 
| R Gint  | Iekšējā vārtu pretestība - - - -  |   |   | 0.5 |   | ω  | 
| C   125 °C  | Ies  | V CE   =25V, f=1MHz,  V ĢEN =0V  |   | 26.2 |   | mHz  | 
| C   pretestība  | Atgriezītais pārvedums  Jauda  |   | 1.68 |   | mHz  | 
| Q   G    | NF  | V ĢEN =-  15...+15V  |   | 4.18 |   | μC  | 
| t d   (ieslēgta ) | Slēgšanas kavējuma laiks  |     V CC = 600V,I C   =400A,   R G   =2,4Ω,  V ĢEN =±15V,  T j =25 o   C    |   | 337 |   | ns  | 
| t r  | Atkāpšanās laiks  |   | 88 |   | ns  | 
| t d   (izslēgt ) | Izslēgt  Atlikušais laiks  |   | 460 |   | ns  | 
| t f    | Nolieku laiks  |   | 116 |   | ns  | 
| E ieslēgta  | Slēgt  Pārslēgšana  Zaudējumi  |   | 21.2 |   | mJ  | 
| E izslēgt  | Izslēgtas  Zaudējumi  |   | 19.4 |   | mJ  | 
| t d   (ieslēgta ) | Slēgšanas kavējuma laiks  |     V CC = 600V,I C   =400A,   R G   =2,4Ω,  V ĢEN =±15V,  T j =  125o   C    |   | 359 |   | ns  | 
| t r  | Atkāpšanās laiks  |   | 90 |   | ns  | 
| t d   (izslēgt ) | Izslēgt  Atlikušais laiks  |   | 492 |   | ns  | 
| t f    | Nolieku laiks  |   | 128 |   | ns  | 
| E ieslēgta  | Slēgt  Pārslēgšana  Zaudējumi  |   | 29.4 |   | mJ  | 
| E izslēgt  | Izslēgtas  Zaudējumi  |   | 26.0 |   | mJ  | 
|   I SC  |   SC dati  | t P   ≤ 10 μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums  T j =125 o   C,V CC = 900V,  V CEM ≤ 1200V  |   |   2400 |   |   A  | 
Dioda  Raksturlielumi  T C   =25 o   C    ja  norādīts  atzīmēts 
 
| Sīkāku informāciju  | Parametrs    | Testēšanas apstākļi  | Min.  | Tips.  | Max.  | Drošības un drošības politika  | 
| V F    | Diode uz priekšu  Spriegums    | I F   =400A,V ĢEN =0V,T j =25 o   C    |   | 2.00 | 2.45 | V  | 
| I F   =400A,V ĢEN =0V,T j =  125o   C    |   | 2.10 |   | 
| Q   r  | Atgūstamā nodeva  | V CC = 600V,I F   =400A,  -di/dt=2840A/μs,V ĢEN =±15V,  T j =25 o   C    |   | 27.0 |   | μC  | 
| I RM  | Augstais augstums  Atgūšanas strāvas  |   | 280 |   | A  | 
| E rec  | Atgriezeniska atgūšana Enerģija  |   | 16.6 |   | mJ  | 
| Q   r  | Atgūstamā nodeva  | V CC = 600V,I F   =400A,  -di/dt=2840A/μs,V ĢEN =±15V,  T j =  125o   C    |   | 46.0 |   | μC  | 
| I RM  | Augstais augstums  Atgūšanas strāvas  |   | 380 |   | A  | 
| E rec  | Atgriezeniska atgūšana Enerģija  |   | 30.0 |   | mJ  | 
 
 Modulis  Raksturlielumi  T C   =25 o   C    ja  norādīts  atzīmēts 
 
| Sīkāku informāciju  | Parametrs    | Min.  | Tips.  | Max.  | Drošības un drošības politika  | 
| R tJC  | Savienojums ar lietu (par IGB) T)  Savienojums ar kārtu (par D) jods)  |   |   | 0.053 0.103 | K/W  | 
|   R tCH  | Izmērs: IGBT)  Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)  Izmērs: Modulis)  |   | 0.048 0.094 0.032 |   | K/W  | 
| M  | Terminala savienojuma griezes moments,  M6 skrūvis  Monta griezes moments,  M6 skrūvis  | 2.5 3.0 |   | 5.0 5.0 | N.m.  | 
| G    | Svars  of  Modulis  |   | 350 |   | g    |