GD600HFX120C6HA, IGBT Modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 o C @ T C =100 o C

1108

600

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1200

A

P D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 o C

4054

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

600

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1200

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C = 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 o C

1.70

2.15

V

I C = 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 o C

1.90

I C = 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C

1.95

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =24.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība

0.7

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

62.1

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

1.74

mHz

Q G

NF

V ĢEN =-15...+15V

4.62

μC

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 600A, R G = 1,2Ω, Garums S = 34 nH , V ĢEN =±15V,T j =25 o C

266

ns

t r

Atkāpšanās laiks

82

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

400

ns

t f

Nolieku laiks

192

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

65.7

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

52.3

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 600A, R G = 1,2Ω, Garums S = 34 nH , V ĢEN =±15V,T j =125 o C

282

ns

t r

Atkāpšanās laiks

94

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

448

ns

t f

Nolieku laiks

290

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

96.2

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

67.3

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 600A, R G = 1,2Ω, Garums S = 34 nH , V ĢEN =±15V,T j = 150 o C

286

ns

t r

Atkāpšanās laiks

94

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

459

ns

t f

Nolieku laiks

299

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

107

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

70.3

mJ

I SC

SC dati

t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F = 600A,V ĢEN =0V,T j =25 o C

1.95

2.40

V

I F = 600A,V ĢEN =0V,T j =1 25o C

2.05

I F = 600A,V ĢEN =0V,T j =1 50o C

2.10

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 600A,

-di/dt=5500A/μs, L S =34nH, V ĢEN =-15V,T j =25 o C

23.8

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

260

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

11.7

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 600A,

-di/dt=4700A/μs, L S =34nH, V ĢEN =-15V,T j =125 o C

65.1

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

293

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

26.4

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 600A,

-di/dt=4600A/μs, L S =34nH, V ĢEN =-15V,T j = 150 o C

76.7

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

306

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

30.6

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

R 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe of R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

R tJC

Savienojums -uz -Gadījums (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.037 0.065

K/W

R tCH

Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: Modulis)

0.028 0.050 0.009

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

G

Svars of Modulis

350

g