GD2400SGT120C4S,IGBT modulis,STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD2400SGT120C4S

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 °C

@ T C = 100°C

3800

2400

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1 lūdzu

4800

A

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

2400

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

4800

A

P D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =1 75°C

12.9

kW

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

°C

T STG

Uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

°C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

3400

V

Montāža Nomākšanas

Signāla termināla skrūve:M4

1.8 līdz 2.1

Jaudas termināla skrūve:M8

8.0 līdz 10

N.m.

Pievienošanas skrūvs:M6

4.25 līdz 5.75

Svars

Masas Modulis

2300

g

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =96 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =2400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

1.70

2.15

V

I C =2400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C

2.00

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =2400A, R Gons = 1.2Ω,

R Goff =0.3Ω,

V ĢEN =±15V,T j =25 °C

600

ns

t r

Atkāpšanās laiks

215

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

810

ns

t f

Nolieku laiks

145

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

/

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

/

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =2400A, R Gons = 1.2Ω,

R Goff =0.3Ω,

V ĢEN =±15V,T j = 125°C

695

ns

t r

Atkāpšanās laiks

235

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

970

ns

t f

Nolieku laiks

182

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

488

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

382

mJ

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

173

mHz

C ejs

Izvades jauda

9.05

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

7.85

mHz

I SC

SC dati

t P ≤ 10 μs,V ĢEN =15 V,

T j =125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

9600

A

Q G

NF

V CC = 600V,I C =2400A, V ĢEN =-15 ﹍+15V

23.0

μC

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0.42

ω

Garums CE

Neatklāta induktantība

10

nH

R CC+EE

Modula vads

Pretestība,

Termināls uz čipu

0.12

mΩ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =2400A

V ĢEN =0V

T j =25 °C

1.65

2.05

V

T j =125 °C

1.65

Q r

Atgūstas

Uzlāde

I F =2400A,

V R =600V,

R Gons =0.3Ω,

V ĢEN =-15V

T j =25 °C

240

μC

T j =125 °C

460

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

T j =25 °C

1650

A

T j =125 °C

2150

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

T j =25 °C

/

mJ

T j =125 °C

208

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tips.

Max.

Vienības

R θ JC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

11.6

K/kW

R θ JC

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

19.7

K/kW

R θ CS

"Case-to-Sink" (vadītais tauku aplikācija) (izmantots)

4

K/kW