GD800HFA120C2S_B20 ,IGBT Modulis,STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

Pārējo vārtu emitenta spriegums

±20 ±30

V

T C

Kolektora strāva @ T C =25o C @ T C =95o C

1280

800

A

T CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1600

A

P D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175o C

3191

V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

T F

Dioda nepārtrauktais priekšējais strāva ent

800

A

T FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1600

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +175

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

T C =800A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C

1.30

1.75

V

T C =800A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125o C

1.45

T C =800A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =150o C

1.50

T C =800A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175o C

1.55

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

T C =32.0mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C

5.5

6.1

7.0

V

T Tips

Kolektors Griezts -Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C

1.0

mA

T =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Stienis Gint

Iekšējā vārtu pretestība

0.38

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V

156

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

1.10

mHz

Q G

NF

V ĢEN =-8...+15V

10.3

μC

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =800A, Stienis G = 1,2Ω,

V ĢEN =-8V/+15V, T vj =25o C

338

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

174

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

1020

ns

t f

Nolieku laiks

100

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

65.2

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

88.8

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =800A, Stienis G = 1,2Ω,

V ĢEN =-8V/+15V, T vj =125o C

398

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

203

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

1140

ns

t f

Nolieku laiks

183

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

96.6

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

109

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =800A, Stienis G = 1,2Ω,

V ĢEN =-8V/+15V, T vj =150o C

413

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

213

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

1140

ns

t f

Nolieku laiks

195

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

105

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

113

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =800A, Stienis G = 1,2Ω,

V ĢEN =-8V/+15V, T vj =175o C

419

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

223

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

1142

ns

t f

Nolieku laiks

205

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

110

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

115

mJ

T SC

SC dati

t P ≤8μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3300

A

T SC

SC dati

t P ≤ 6 μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3000

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

T F =800A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

T F =800A,V ĢEN =0V,T vj =125o C

1.85

T F =800A,V ĢEN =0V,T vj =150o C

1.85

T F =800A,V ĢEN =0V,T vj =175o C

1.85

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 600V,I F =800A,

-di/dt=5510A/μs,V ĢEN =-8V, T vj =25o C

28.6

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

311

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

13.9

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 600V,I F =800A,

-di/dt=4990A/μs,V ĢEN =-8V, T vj =125o C

56.8

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

378

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

23.7

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 600V,I F =800A,

-di/dt=4860A/μs,V ĢEN =-8V, T vj =150o C

66.3

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

395

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

26.7

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 600V,I F =800A,

-di/dt=4790A/μs,V ĢEN =-8V, T vj =175o C

72.1

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

403

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

28.6

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

L CE

Neatklāta induktantība

20

nH

Stienis CC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

0.42

mΩ

Stienis tJC

Savienojums -pret -Gadījums (perIGBT ) Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.047 0.083

K/W

Stienis tCH

Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet)

0.031 0.055 0.010

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Svars no Modulis

320

g