GD600HTA120P6HT,IGBT modulis,STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I CN

Izmantotais kolektors Cu īr

600

A

I C

Kolektora strāva @ T F =90 o C

450

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1200

A

P D

Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =75 o C T j =175 o C

1075

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volta ģEN

1200

V

I FN

Izmantotais kolektors Cu īr

600

A

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

450

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1200

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra nepārtraukta

Par 10s laikposmā 30 gadu vecumā, gadījums maksimāli 3000 reizes uz ilgāku laiku es

-40 līdz +150 +150 līdz +175

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

d Kāpšana

Termināls līdz Heatsink Termināls uz terminālu

9.0 9.0

mm

d Skaidrs

Termināls līdz Heatsink Termināls uz terminālu

4.5 4.5

mm

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 o C

1.40

V

I C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C

1.65

I C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =175 o C

1.70

I C = 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 o C

1.60

I C = 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C

1.90

I C = 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =175 o C

2.00

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 15,6 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 o C

6.4

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība

1.67

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V

81.2

mHz

C ejs

Izvades jauda

1.56

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.53

mHz

Q G

NF

V CE = 600V,I C =600A, V ĢEN =-8...+15V

5.34

μC

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 600A,

R Gons =1,0Ω, R Goff = 2,2Ω, Garums S =22nH,

V ĢEN =-8V/+15V, T j =25 o C

290

ns

t r

Atkāpšanās laiks

81

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

895

ns

t f

Nolieku laiks

87

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

53.5

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

47.5

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 600A,

R Gons =1,0Ω, R Goff = 2,2Ω, Garums S =22nH,

V ĢEN =-8V/+15V, T j = 150 o C

322

ns

t r

Atkāpšanās laiks

103

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

1017

ns

t f

Nolieku laiks

171

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

84.2

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

63.7

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 600A,

R Gons =1,0Ω, R Goff = 2,2Ω, Garums S =22nH,

V ĢEN =-8V/+15V, T j =175 o C

334

ns

t r

Atkāpšanās laiks

104

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

1048

ns

t f

Nolieku laiks

187

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

89.8

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

65.4

mJ

I SC

SC dati

t P ≤ 6 μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

2000

A

T j =175 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F = 450A,V ĢEN =0V,T j =25 o C

1.80

V

I F = 450A,V ĢEN =0V,T j =1 50o C

1.75

I F = 450A,V ĢEN =0V,T j =1 75o C

1.70

I F = 600A,V ĢEN =0V,T j =25 o C

1.95

I F = 600A,V ĢEN =0V,T j =1 50o C

1.95

I F = 600A,V ĢEN =0V,T j =1 75o C

1.90

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F = 600A,

-di/dt=7040A/μs,V ĢEN =-8V Garums S =22 nH ,T j =25 o C

22.5

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

304

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

10.8

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F = 600A,

-di/dt=5790A/μs,V ĢEN =-8V Garums S =22 nH ,T j = 150 o C

46.6

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

336

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

18.2

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F = 600A,

-di/dt=5520A/μs,V ĢEN =-8V Garums S =22 nH ,T j =175 o C

49.8

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

346

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

19.8

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

R 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe of R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

8

nH

R CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu

0.75

mΩ

p

Maksimālais spiediens dzesējošajā cirkulācijā vienība

2.5

bars

R tJF

Savienojums -uz -Dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojums uz dzesēšanas šķidrumu (saskaņā ar D jods) △ V/ △ t=10,0 dM 3/min ,T F =75 o C

0.081 0.118

0.093 0.136

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, Skrūve M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

G

Svars of Modulis

750

g