GD600HTA120P6HT,IGBT modulis,STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

T CN

Izmantotais kolektors Cu īr

600

A

T C

Kolektora strāva @ T F =90o C

450

A

T CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1200

A

P D

Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =75o C T j =175o C

1075

V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volta ģEN

1200

V

T FN

Izmantotais kolektors Cu īr

600

A

T F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

450

A

T FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1200

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra nepārtraukta

Par 10s laikposmā 30 gadu vecumā, gadījums maksimāli 3000 reizes uz ilgāku laiku es

-40 līdz +150 +150 līdz +175

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

d Kāpšana

Termināls līdz Heatsink Termināls uz terminālu

9.0 9.0

mm

d Skaidrs

Termināls līdz Heatsink Termināls uz terminālu

4.5 4.5

mm

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

T C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C

1.40

V

T C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C

1.65

T C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =175o C

1.70

T C = 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C

1.60

T C = 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C

1.90

T C = 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =175o C

2.00

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

T C =15.6mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C

6.4

V

T Tips

Kolektors Griezts -Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25o C

1.0

mA

T =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Stienis Gint

Iekšējā vārtu pretestība

1.67

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V

81.2

mHz

C ejs

Izvades jauda

1.56

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.53

mHz

Q G

NF

V CE = 600V,I C =600A, V ĢEN =-8...+15V

5.34

μC

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 600A,

Stienis Gons =1,0Ω, Stienis Goff = 2,2Ω, L S =22nH,

V ĢEN =-8V/+15V, T j =25o C

290

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

81

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

895

ns

t f

Nolieku laiks

87

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

53.5

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

47.5

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 600A,

Stienis Gons =1,0Ω, Stienis Goff = 2,2Ω, L S =22nH,

V ĢEN =-8V/+15V, T j =150o C

322

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

103

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

1017

ns

t f

Nolieku laiks

171

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

84.2

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

63.7

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 600A,

Stienis Gons =1,0Ω, Stienis Goff = 2,2Ω, L S =22nH,

V ĢEN =-8V/+15V, T j =175o C

334

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

104

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

1048

ns

t f

Nolieku laiks

187

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

89.8

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

65.4

mJ

T SC

SC dati

t P ≤ 6 μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

2000

A

T j =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

T F = 450A,V ĢEN =0V,T j =25o C

1.80

V

T F = 450A,V ĢEN =0V,T j =150o C

1.75

T F = 450A,V ĢEN =0V,T j =175o C

1.70

T F = 600A,V ĢEN =0V,T j =25o C

1.95

T F = 600A,V ĢEN =0V,T j =150o C

1.95

T F = 600A,V ĢEN =0V,T j =175o C

1.90

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 600V,I F = 600A,

-di/dt=7040A/μs,V ĢEN =-8V L S =22nH ,T j =25o C

22.5

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

304

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

10.8

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 600V,I F = 600A,

-di/dt=5790A/μs,V ĢEN =-8V L S =22nH ,T j =150o C

46.6

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

336

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

18.2

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 600V,I F = 600A,

-di/dt=5520A/μs,V ĢEN =-8V L S =22nH ,T j =175o C

49.8

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

346

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

19.8

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

Stienis 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe no Stienis 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Enerģiju

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

L CE

Neatklāta induktantība

8

nH

Stienis CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu

0.75

mΩ

p

Maksimālais spiediens dzesējošajā cirkulācijā vienība

2.5

stienis

Stienis tJF

Savienojums -pret -Dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojums uz dzesēšanas šķidrumu (saskaņā ar D jods) △V/ △t=10,0 dM 3/min ,T F =75o C

0.081 0.118

0.093 0.136

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, Skrūve M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

G

Svars no Modulis

750

g