Īsa ievads
IGBT modulis ,ražota STARPOWER .1200V 300A.
Funkcijas
- NPT IGBT tehnoloģija
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
- Zemas slēgšanas zudumi
- VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
- Zema induktivitātes kārta
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
Tipiskas lietošanas metodes
- Saulrasēja enerģija
- UPS
- 3-līmeņu lietojumi
Absolūta Maksimāli Reitingu rādītāji T F =25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT-invertors
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
Es C |
Kolektora strāva @ T C=25o C @ T C=100o C |
468
300
|
A |
Es CRM |
Atkārtošanās Pīķis Kolektors Pašreizējais tp ierobežotas autors T vjop |
600 |
A |
PD |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175o C |
1530 |
V |
Diodē-invertors
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
1200 |
V |
Es F |
Dioda nepārtraukta uz priekšu īr |
300 |
A |
Es Diodes uzpriekšējā strāva |
Atkārtošanās Pīķis Uz priekšu Pašreizējais tp ierobežotas autors T vjop |
600 |
A |
Diods-3-līmeņu
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
1200 |
V |
Es F |
Dioda nepārtraukta uz priekšu īr |
300 |
A |
Es Diodes uzpriekšējā strāva |
Atkārtošanās Pīķis Uz priekšu Pašreizējais tp ierobežotas autors T vjop |
600 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
T vjmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T vjop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min |
2500 |
V |
IGBT – inverters Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums
|
Es C= 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
Es C= 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125o C |
|
1.95 |
|
Es C= 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =150o C |
|
2.00 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
Es C=12.0mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Es Tips |
Kolektors Griezts – Izslēgt Pašreizējais |
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
Es =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
Stienis Gint |
Iekšējā vārtu pretestība - - - - |
|
|
2.5 |
|
ω |
C125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V |
|
31.1 |
|
mHz |
Cpretestība |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
|
0.87 |
|
mHz |
J G |
NF |
V ĢEN =-15 ...+15V |
|
2.33 |
|
μC |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C= 300A, Stienis G=2.4Ω,Ls=35nH, V ĢEN =±15V,T vj =25o C
|
|
215 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
53 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
334 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
205 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
21.5 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
20.7 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C= 300A, Stienis G=2.4Ω,Ls=35nH, V ĢEN =±15V,T vj =125o C
|
|
231 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
59 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
361 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
296 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
30.1 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
28.1 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C= 300A, Stienis G=2.4Ω,Ls=35nH, V ĢEN =±15V,T vj =150o C
|
|
240 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
62 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
376 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
311 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
32.9 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
29.9 |
|
mJ |
|
Es SC
|
SC dati
|
t P≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
1200
|
|
A
|
Dioda – inverters Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienības |
|
V F
|
Diode uz priekšu Spriegums |
Es F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
Es F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =125o C |
|
1.90 |
|
Es F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =150o C |
|
1.95 |
|
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F = 300A,
-di/dt=2937A/μs, Ls=70nH, V ĢEN =-15V,T vj =25o C
|
|
36.3 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
235 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
15.7 |
|
mJ |
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F = 300A,
-di/dt=2720A/μs, Ls=70nH, V ĢEN =-15V,T vj =125o C
|
|
61.3 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
257 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
27.5 |
|
mJ |
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F = 300A,
-di/dt=2616A/μs, Ls=70nH, V ĢEN =-15V,T vj =150o C
|
|
68.8 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
262 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
30.8 |
|
mJ |
Dioda -3-līmenis Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienības |
|
V F
|
Diode uz priekšu Spriegums |
Es F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
Es F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =125o C |
|
1.90 |
|
Es F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =150o C |
|
1.95 |
|
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F = 300A,
-di/dt=5683A/μs,Ls=35nH, V ĢEN =-15V,T vj =25o C
|
|
36.2 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
290 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
13.4 |
|
mJ |
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F = 300A,
-di/dt=4958A/μs,Ls=35nH, V ĢEN =-15V,T vj =125o C
|
|
56.6 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
301 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
22.2 |
|
mJ |
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F = 300A,
-di/dt=4673A/μs,Ls=35nH, V ĢEN =-15V,T vj =150o C
|
|
65.9 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
306 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
26.3 |
|
mJ |
NTC Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
Stienis 25 |
Nominālais pretestība |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Atkāpe no Stienis 100 |
T C=100 o Cr 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Enerģiju
Zudums
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B vērtība |
Stienis 2=R 25eks [B 25/501/T 2– 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B vērtība |
Stienis 2=R 25eks [B 25/801/T 2– 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B vērtība |
Stienis 2=R 25eks [B 25/1001/T 2– 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modulis Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
LCE |
Neatklāta induktantība |
|
35 |
|
nH |
Stienis CC+EE |
Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu |
|
1.45 |
|
mΩ |
|
Stienis tJC
|
Savienojums – līdz – Gadījums (perIGBT – inverters ) Savinieks-līdz-korpusei (katram diodam-invertētājs )Savinieks-līdz-korpusei (katram diodam-3-līmeņu ) |
|
|
0.098 0.176 0.176 |
K/W |
|
Stienis tCH
|
Korpus-līdz-dūrēm (katram IGBT-invertētājs )Korpus-līdz-dūrēm (katram diodam-i nverters) Korpus-līdz-dūrēm (katram diodam-3- līmenis) Izmērs: Modulis) |
|
0.033 0.059 0.059 0.009 |
|
K/W
|
M |
Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.m. |
G |
Svars no Modulis |
|
350 |
|
g |
EN
