GD300MPX120C6SA,IGBT Modulis,STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

T C

Kolektora strāva @ T C =25o C @ T C =100o C

468

300

A

T CRM

Atkārtošanās Pīķis Kolektors Pašreizējais tp ierobežotas ar T vjop

600

A

P D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175o C

1530

V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

T F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

300

A

T Diodes uzpriekšējā strāva

Atkārtošanās Pīķis Uz priekšu Pašreizējais tp ierobežotas ar T vjop

600

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

T F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

300

A

T Diodes uzpriekšējā strāva

Atkārtošanās Pīķis Uz priekšu Pašreizējais tp ierobežotas ar T vjop

600

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

T C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C

1.70

2.15

V

T C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125o C

1.95

T C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =150o C

2.00

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

T C =12.0mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

T Tips

Kolektors Griezts -Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C

1.0

mA

T =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Stienis Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

2.5

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

31.1

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.87

mHz

Q G

NF

V ĢEN =-15 ...+15V

2.33

μC

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 300A, Stienis G =2.4Ω,Ls=35nH, V ĢEN =±15V,T vj =25o C

215

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

53

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

334

ns

t f

Nolieku laiks

205

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

21.5

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

20.7

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 300A, Stienis G =2.4Ω,Ls=35nH, V ĢEN =±15V,T vj =125o C

231

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

59

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

361

ns

t f

Nolieku laiks

296

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

30.1

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

28.1

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 300A, Stienis G =2.4Ω,Ls=35nH, V ĢEN =±15V,T vj =150o C

240

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

62

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

376

ns

t f

Nolieku laiks

311

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

32.9

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

29.9

mJ

T SC

SC dati

t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu Spriegums

T F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

T F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =125o C

1.90

T F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =150o C

1.95

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 300A,

-di/dt=2937A/μs, Ls=70nH, V ĢEN =-15V,T vj =25o C

36.3

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

235

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

15.7

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 300A,

-di/dt=2720A/μs, Ls=70nH, V ĢEN =-15V,T vj =125o C

61.3

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

257

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

27.5

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 300A,

-di/dt=2616A/μs, Ls=70nH, V ĢEN =-15V,T vj =150o C

68.8

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

262

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

30.8

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu Spriegums

T F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

T F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =125o C

1.90

T F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =150o C

1.95

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 300A,

-di/dt=5683A/μs,Ls=35nH, V ĢEN =-15V,T vj =25o C

36.2

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

290

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

13.4

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 300A,

-di/dt=4958A/μs,Ls=35nH, V ĢEN =-15V,T vj =125o C

56.6

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

301

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

22.2

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 300A,

-di/dt=4673A/μs,Ls=35nH, V ĢEN =-15V,T vj =150o C

65.9

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

306

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

26.3

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

Stienis 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe no Stienis 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Enerģiju

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

L CE

Neatklāta induktantība

35

nH

Stienis CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu

1.45

mΩ

Stienis tJC

Savienojums -pret -Gadījums (perIGBT -inverters ) Savinieks-līdz-korpusei (katram diodam-invertētājs ) Savinieks-līdz-korpusei (katram diodam-3-līmeņu )

0.098 0.176 0.176

K/W

Stienis tCH

Korpus-līdz-dūrēm (katram IGBT-invertētājs ) Korpus-līdz-dūrēm (katram diodam-i nverters) Korpus-līdz-dūrēm (katram diodam-3- līmenis) Izmērs: Modulis)

0.033 0.059 0.059 0.009

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

G

Svars no Modulis

350

g