IGBT modulis GD820HTX75P6H Starpower

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

750

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

T CN

Izmantotais kolektors Cu īr

820

A

T C

Kolektora strāva @ T F =100o C

450

A

T CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1640

A

P D

Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =75o C T j =175o C

847

V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volta ģEN

750

V

T FN

Izmantotais kolektors Cu īr

820

A

T F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

450

A

T FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1640

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra nepārtraukta

Jo 10 sekundēm laikposmā 30s, notikums maksimāli 3000 reizes gar laiku

-40 līdz +150 +150 līdz +175

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

T C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C

1.10

1.35

V

T C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C

1.15

T C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =175o C

1.15

T C =820A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C

1.30

T C =820A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =175o C

1.50

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

T C =12.9mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C

5.5

6.5

7.0

V

T Tips

Kolektors Griezts -Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25o C

1.0

mA

T =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Stienis Gint

Iekšējā vārtu pretestība

1.0

ω

C 125 °C

Ies

V CE =50V,f=100kHz, V ĢEN =0V

72.3

mHz

C ejs

Izvades jauda

1.51

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.32

mHz

Q G

NF

V CE =400V, I C = 450A, V ĢEN =-15...+15V

4.77

μC

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A, Stienis G =2,4Ω,

V ĢEN =-8V/+15V, L S =24nH,

T j =25o C

315

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

61

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

729

ns

t f

Nolieku laiks

70

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

12.4

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

18.3

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A, Stienis G =2,4Ω,

V ĢEN =-8V/+15V, L S =24nH,

T j =150o C

338

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

74

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

826

ns

t f

Nolieku laiks

151

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

20.7

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

25.3

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A, Stienis G =2,4Ω,

V ĢEN =-8V/+15V, L S =24nH,

T j =175o C

343

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

77

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

846

ns

t f

Nolieku laiks

171

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

25.0

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

27.3

mJ

T SC

SC dati

t P ≤ 6 μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j =25o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4500

A

t P ≤3μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j =175o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3300

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

T F = 450A,V ĢEN =0V,T j =25o C

1.40

1.65

V

T F = 450A,V ĢEN =0V,T j =150o C

1.35

T F = 450A,V ĢEN =0V,T j =175o C

1.30

T F =820A,V ĢEN =0V,T j =25o C

1.70

T F =820A,V ĢEN =0V,T j =175o C

1.65

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis =400V, I F = 450A,

-di/dt=7760A/μs,V ĢEN =-8V L S =24nH ,T j =25o C

10.1

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

287

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

4.83

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis =400V, I F = 450A,

-di/dt=6300A/μs,V ĢEN =-8V L S =24nH ,T j =150o C

25.6

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

341

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

9.32

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis =400V, I F = 450A,

-di/dt=5990A/μs,V ĢEN =-8V L S =24nH ,T j =175o C

30.4

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

354

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

10.6

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

Stienis 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe no Stienis 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Enerģiju

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

L CE

Neatklāta induktantība

8

nH

Stienis CC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

0.75

mΩ

p

Maksimālais spiediens dzesēšanas sistēmā apģērbs

T atbalsta plāksne <40o C

T atbalsta plāksne 40o C

(relatīvā spiediena)

2.5 2.0

stienis

Stienis tJF

Savienojums -pret -Dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojums uz dzesēšanas šķidrumu (saskaņā ar D jods) △V/ △t=10,0 dM 3/min ,T F =75o C

0.103 0.169

0.118 0.194

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, Skrūve M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

G

Svars no Modulis

750

g