Īss ievads
IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 300A.
Īpašības
-
Zema VCE (sat) Trenažas IGBT tehnoloģija
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
-
VCE (sat) ar pozitīvs temperatūra koeficients
- Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
- Zema induktivitātes kārta
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
Tipiskas lietošanas metodes
- Slēgšanas režīma barošanas avots
- Induktīvā sildīšana
- Elektriskās sārgmašīnas
Absolūta Maksimālais Reitingu rādītāji T F =25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
T C |
Kolektora strāva @ T C =25o C @ T C =100o C |
477
300
|
A |
T CM |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
600 |
A |
P D |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175o C |
1578 |
V |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
1200 |
V |
T F |
Dioda nepārtraukta uz priekšu īr |
300 |
A |
T FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
600 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
T vjmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T vjop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min |
2500 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums
|
T C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
T C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125o C |
|
1.95 |
|
T C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =150o C |
|
2.00 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
T C =12.0mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
T Tips |
Kolektors Griezts -Izslēgt Pašreizējais |
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
T =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
Stienis Gint |
Iekšējā vārtu pretestība - - - - |
|
|
1.0 |
|
ω |
C 125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V |
|
31.1 |
|
mHz |
C pretestība |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
|
0.87 |
|
mHz |
Q G |
NF |
V ĢEN =-15 ...+15V |
|
2.33 |
|
μC |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C = 300A, Stienis G =1.3Ω, Ls=43nH, V ĢEN =±15V,T vj =25o C
|
|
181 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
39 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
305 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
199 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
22.7 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
21.0 |
|
mJ |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C = 300A, Stienis G =1.3Ω, Ls=43nH, V ĢEN =±15V,T vj =125o C
|
|
191 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
45 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
357 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
313 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
39.8 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
30.7 |
|
mJ |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C = 300A, Stienis G =1.3Ω, Ls=43nH, V ĢEN =±15V,T vj =150o C
|
|
193 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
47 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
368 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
336 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
44.2 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
32.3 |
|
mJ |
|
T SC
|
SC dati
|
t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
1200
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienības |
|
V F
|
Diode uz priekšu Spriegums |
T F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
T F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =125o C |
|
1.90 |
|
T F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =150o C |
|
1.95 |
|
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F = 300A,
-di/dt=7400A/μs, Ls=43nH, V ĢEN =-15V,T vj =25o C
|
|
59.7 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
397 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
24.9 |
|
mJ |
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F = 300A,
-di/dt=6300A/μs, Ls=43nH, V ĢEN =-15V,T vj =125o C
|
|
91.8 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
383 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
36.5 |
|
mJ |
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F = 300A,
-di/dt=6100A/μs, Ls=43nH, V ĢEN =-15V,T vj =150o C
|
|
99.6 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
380 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
39.1 |
|
mJ |
Modulis Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
L CE |
Neatklāta induktantība |
|
|
20 |
nH |
Stienis CC+EE |
Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu |
|
0.35 |
|
mΩ |
Stienis tJC |
Savienojums -pret -Gadījums (perIGBT ) Savienojums ar kārtu (par D) jods) |
|
|
0.095 0.163 |
K/W |
|
Stienis tCH
|
Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet) |
|
0.022 0.037 0.010 |
|
K/W |
M |
Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.m. |
G |
Svars no Modulis |
|
300 |
|
g |
EN
