Īsa ievads
IGBT modulis ,izgatavots uzņēmumā STARPOWER. 1200V 200A.
Funkcijas
- Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
- VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
- Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
- Zema induktivitātes kārta
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
Tipiskas lietošanas metodes
- Inverteris motora vadībai
- AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
- Nepārtraukta strāva nodrošināšana
Absolūta Maksimāli Reitingu rādītāji T C=25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtības |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
Es C |
Kolektora strāva @ T C=25o C
@ T C=100o C
|
340
200
|
A |
Es Cm |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
400 |
A |
PD |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175o C |
1190 |
V |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtības |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
1200 |
V |
Es F |
Dioda nepārtraukta uz priekšu īr |
200 |
A |
Es FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
400 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtības |
Vienība |
T jmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min |
2500 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents
Sātumapstrādes spriegums
|
Es C=200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
Es C=200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C |
|
1.95 |
|
Es C=200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C |
|
2.00 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
Es C=8.0mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Es Tips |
Kolektors Griezts – Izslēgt
Pašreizējais
|
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V,
T j =25o C
|
|
|
1.0 |
mA |
Es =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Stienis Gint |
Iekšējā vārtu pretestība - - - - |
|
|
3.75 |
|
ω |
C125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz,
V ĢEN =0V
|
|
20.7 |
|
mHz |
Cpretestība |
Atgriezītais pārvedums
Jauda
|
|
0.58 |
|
mHz |
J G |
NF |
V ĢEN =- 15...+15V |
|
1.55 |
|
μC |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C=200A, Stienis G=1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j =25o C
|
|
150 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
32 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
330 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
93 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
9.7 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
11.3 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C=200A, Stienis G=1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j =125o C
|
|
161 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
37 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
412 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
165 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
20.2 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
17.0 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C=200A, Stienis G=1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j =150o C
|
|
161 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
43 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
433 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
185 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
22.4 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
19.1 |
|
mJ |
|
Es SC
|
SC dati
|
t P≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
800
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienības |
|
V F
|
Diode uz priekšu
Spriegums
|
Es F =200A,V ĢEN =0V,T j =25o C |
|
2.40 |
2.90 |
V
|
Es F =200A,V ĢEN =0V,T j =125o C |
|
1.95 |
|
Es F =200A,V ĢEN =0V,T j =150o C |
|
1.80 |
|
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F =200A,
-di/dt=4950A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25o C
|
|
20.3 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
160 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
8.0 |
|
mJ |
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F =200A,
-di/dt=4950A/μs,V ĢEN =- 15V T j =125o C
|
|
38.4 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
201 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
14.2 |
|
mJ |
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F =200A,
-di/dt=4950A/μs,V ĢEN =- 15V T j =150o C
|
|
44.2 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
212 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
15.6 |
|
mJ |
Modulis Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
LCE |
Neatklāta induktantība |
|
|
20 |
nH |
Stienis CC+EE |
Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu |
|
0.35 |
|
mΩ |
Stienis tJC |
Savienojums ar lietu (par IGB) T)
Savienojums ar korpusu (par Di) ode)
|
|
|
0.126
0.211
|
K/W |
|
Stienis tCH
|
Izmērs: IGBT)
Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode)
Izmērs: (atkārtojiet)
|
|
0.032
0.053
0.010
|
|
K/W |
M |
Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.m. |
G |
Svars no Modulis |
|
300 |
|
g |
EN
