GD1200SGX170A3S,IGBT Modulis,Lielstrāvas igbt modulis,STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 o C @ T C =100 o C

2206

1200

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

2400

A

P D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 o C

8.77

KW

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1700

V

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

1200

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

2400

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C =1200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 o C

1.85

2.20

V

I C =1200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 o C

2.25

I C =1200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C

2.35

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =48,0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 o C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība

1.0

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

145

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

3.51

mHz

Q G

NF

V ĢEN =-15 ...+15V

11.3

μC

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =1200A, R G =1,0Ω,

V ĢEN =-9/+15V,

Garums S =65 nH ,T j =25 o C

440

ns

t r

Atkāpšanās laiks

112

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

1200

ns

t f

Nolieku laiks

317

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

271

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

295

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =1200A, R G =1,0Ω,

V ĢEN =-9/+15V,

Garums S =65 nH ,T j =125 o C

542

ns

t r

Atkāpšanās laiks

153

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

1657

ns

t f

Nolieku laiks

385

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

513

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

347

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =1200A, R G =1,0Ω,

V ĢEN =-9/+15V,

Garums S =65 nH ,T j = 150 o C

547

ns

t r

Atkāpšanās laiks

165

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

1695

ns

t f

Nolieku laiks

407

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

573

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

389

mJ

I SC

SC dati

t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

4800

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F =1200A,V ĢEN =0V, T j =25℃

1.80

2.25

V

I F =1200A,V ĢEN =0V, T j =125℃

1.90

I F =1200A,V ĢEN =0V, T j =150℃

1.95

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 900V,I F =1200A,

-di/dt=10500A/μs,V ĢEN =-9V, Garums S =65nH,T j =25℃

190

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

844

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

192

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 900V,I F =1200A,

-di/dt=7050A/μs,V ĢEN =-9V, Garums S =65nH,T j =125℃

327

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

1094

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

263

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 900V,I F =1200A,

-di/dt=6330A/μs,V ĢEN =-9V, Garums S =65nH,T j =150℃

368

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

1111

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

275

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

12

nH

R CC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

0.19

mΩ

R tJC

Savienojums -uz -Gadījums (perIGBT ) Savienojums ar kārtu (par D) jods)

17.1 26.2

K/kW

R tCH

Gadījums -uz -Siltumapdalītājs (perIGBT )Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes) Izmērs: Modulis)

9.9 15.2 6.0

K/kW

M

Jaudas termināls Šķirbju:M4 Jaudas termināls Šķirbju:M8 Pievienošanas skrūvs:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

N.m.

G

Svars of Modulis

1050

g