GD100HFX170C1S, IGBT Modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 o C @ T C =100 o C

173

112

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

200

A

P D

Maksimālā Jauda Zudums @ T vj =175 o C

666

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1700

V

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

100

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

200

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C =100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 o C

1.85

2.20

V

I C =100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125 o C

2.25

I C =100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 o C

2.35

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =4,0 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība

7.5

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

12.0

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.29

mHz

Q G

NF

V ĢEN =-15...+15V

0.94

μC

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V ĢEN =±15V, Ls=60nH,

T vj =25 o C

272

ns

t r

Atkāpšanās laiks

55

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

369

ns

t f

Nolieku laiks

389

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

28.2

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

16.4

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V ĢEN =±15V, Ls=60nH,

T vj =125 o C

296

ns

t r

Atkāpšanās laiks

66

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

448

ns

t f

Nolieku laiks

576

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

40.1

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

24.1

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V ĢEN =±15V, Ls=60nH,

T vj = 150 o C

302

ns

t r

Atkāpšanās laiks

69

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

463

ns

t f

Nolieku laiks

607

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

43.9

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

25.7

mJ

I SC

SC dati

t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj = 150 o C ,V CC =1000V

V CEM ≤ 1700V

400

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F =100A,V ĢEN =0V,T vj =2 5o C

1.80

2.25

V

I F =100A,V ĢEN =0V,T vj =125 o C

1.90

I F =100A,V ĢEN =0V,T vj = 150 o C

1.95

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1290A/μs,V ĢEN =-15V Ls=60nH,

T vj =25 o C

23.5

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

85

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

11.5

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1020A/μs,V ĢEN =-15V Ls=60nH,

T vj =125 o C

36.6

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

88

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

18.1

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=960A/μs,V ĢEN =-15V Ls=60nH,

T vj = 150 o C

46.2

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

91

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

24.6

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

30

nH

R CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu

0.65

mΩ

R tJC

Savienojums -uz -Gadījums (perIGBT ) Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.225 0.391

K/W

R tCH

Gadījums -uz -Siltumapdalītājs (perIGBT )Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes) Izmērs: Modulis)

0.158 0.274 0.050

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Svars of Modulis

150

g