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비대칭 IGCT(A-IGCT)

비대칭 IGCT(A-IGCT)

홈페이지 /  제품 /  IGCT 모듈 /  비대칭 IGCT(A-IGCT)

YT-ASC80Y6500IC#, 비대칭 IGCT 플러스

6500V 8000A, 통합 게이트 드라이브

Brand:
YT
Spu:
YT-ASC80Y6500IC#
Appurtenance:

제품 브로슈어:다운로드

  • 소개
  • 개요
소개

YT-ASC80Y6500IC#

적용 분야

  • 모듈식 다중 레벨 컨버터
  • 정적 무효 전력 보상 장치
  • 고전력 변환기

특징

  • 높은 저항 전류
  • 블랙 스타트업 능력
  • 고장 시 단락 모드

매개변수

V DRM

6500

V

TGQM

8000

A

TSM

48.2

kA

V

1.24

V

r T

0.22

V DClink

4000

V

차단 데이터

S yMBOL

조건

M 안에

유형

M

단위

V DRM

T VJ= 125 , D DRM, t p= 10ms

-

-

6500

V

DRM

T VJ= 125 , V D= V DRM, t p= 10ms

-

-

150

mA

dv/dt

T VJ= 125 , V D=0.67 V DRM

1000

V/ μs

V DClink

100FIT 고장률을 허용하는 중간 DC 전압

-

-

4000

V

V RRM

/

-

-

20

V

온 상태 데이터

상징

조건

유형

최대

단위

IT(RMS)

T C = 85℃, 반파 사인파, 양면 냉각

-

-

4290

A

TSM

2t

T Vj = 125℃, 반파 사인파, 10ms, V D = V R =0

-

-

-

-

48.2

1162

kA

104A 2s

V TM

T Vj = 125℃, I T = 4000A

-

2.52

-

V

V

r T

T Vj = 125℃,

T = 1000…4000A

-

-

1.24

0.22

-

-

V mΩ

데이터

S yMBOL

조건

M 안에

유형

M

단위

d T /dt

TVJ = 125 , IT = 4000A, VD = 4000V, f = 0…500Hz

-

-

1000

A/ μs

t

t donSF

t r

E 에 대해

T Vj = 125 , T = 4000A, V D = 4000V, d /dt = V D/ L i , C CL = 20μF,

L i = 3 μH, L CL = 0.3μH

-

-

-

-

-

-

-

-

5

8

1.5

1.5

μs

μs

μs

J

차단 데이터

S yMBOL

조건

M 안에

유형

M

단위

TGQM

T VJ = 125 , V Dm V DRM, V D = 4000V, L CL = 0.3μH C CL = 20μF, R S = 0.5Ω

-

-

8000

A

t doff

t doffSF

t f

E 끄다

T Vj = 125 , TGQ = 8000A, V D = 4000V, V Dm V DRM, C CL = 20μF, R S = 4 ω ,

L i = 2 μH, L CL = 0.3μH

-

-

-

-

-

-

-

84

10

10

1

-

μs

μs

μs

J

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