GD150HFU120C2SD, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

값

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

1200

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

±20

볼트

나 C

콜렉터 전류 @ T C=25o C@ T C=85o C

241

150

A

나 Cm

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

300

A

PD

최대 전력 분산 @ T vj =150o C

1262

W

상징

설명

값

단위

볼트 RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

볼트

나 F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

150

A

나 Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

300

A

상징

설명

값

단위

T vjmax

최대 분기 온도

150

o C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +125

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

볼트 ISO

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

2500

볼트

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

나 C=150A,V GE =15V, T vj =25o C

2.90

3.35

볼트

나 C=150A,V GE =15V, T vj =125o C

3.60

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

나 C=3.0mA ,볼트 CE =볼트 GE , T vj =25o C

5.0

6.1

7.0

볼트

나 CES

수집가 절단 -끄다 현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

나 GES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T vj =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

1.50

ω

Cies

입력 용량

볼트 CE =30V,f=1MHz, 볼트 GE =0V

19.2

nF

Cres

역전환 용량

0.60

nF

문의 지

게이트 요금

볼트 GE =-15...+15V

1.83

μC

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=150A, R 지 =6.8Ω,Ls=48nH, 볼트 GE =±15V,T vj =25o C

74

nS

t r

상승 시간

92

nS

t d(off)

그림 지연 시간

401

nS

t f

하강 시간

31

nS

E켜짐

켜 전환 손실

19.0

mJ

E끄다

그림 전환 손실

3.09

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=150A, R 지 =6.8Ω, Ls=48nH, 볼트 GE =±15V,T vj =125o C

61

nS

t r

상승 시간

95

nS

t d(off)

그림 지연 시간

444

nS

t f

하강 시간

47

nS

E켜짐

켜 전환 손실

22.5

mJ

E끄다

그림 전환 손실

3.99

mJ

나 SC

SC 데이터

t P≤10μs, 볼트 GE =15V,

T vj =125o C,V CC =800V, 볼트 CEM ≤1200V

975

A

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 F

다이오드 앞 전압

나 F =150A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

볼트

나 F =150A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =150A,

-di/dt=1480A/μs,V GE =-15V, LS =48nH ,T vj =25o C

13.7

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

91

A

Erec

역회복 에너지

4.01

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =150A,

-di/dt=1560A/μs,V GE =-15V, LS =48nH ,T vj =125o C

22.1

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

111

A

Erec

역회복 에너지

6.65

mJ

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

LCE

방랑 인덕턴스

30

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.35

mΩ

R thJC

교차점 -~까지 -사례 (perIGBT ) 커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.099 0.259

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.028 0.072 0.010

K/W

분

단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 나사 M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

지

무게 의 모듈

300

지