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SiC 모듈

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SCE400N1200EK6B, SiC 모듈, 식스팩(3상)

1200V, 400A, 4mΩ
Brand:
SCE
Spu:
SCE900N1200ED
Appurtenance:

제품 브로셔:다운로드

  • 서론
  • 치수
  • 회로
서론

EK6 시리즈 실리콘 카바이드(SiC) 전력 모듈 EK6(1).png

  1. 최대 작동 접합 온도: 175℃;

  2. 고전력 밀도 및 낮은 스위칭 손실;

  3. 고온 및 고주파 응용에 적합;

  4. 파라미터 범위:

    • V Ds : 650–1700V

    • D : 100–400A

    • R DS(온) 2.5–26mΩ

EK6 시리즈 제품 목록

제품 스킥 VDS RDS(on) @25℃ ID
SCE400N1200EK6B 1200V 4mΩ 400A
SCE 300N1200EK6 1200V 5.3mΩ 300A
SCE 300N1200EK6B 1200V 5.3mΩ 300A
SCE 200N1200EK6 1200V 8mΩ 200A
SCE 100N1200EK6 1200V 16mΩ 100A
SCE 100N1200EK6B 1200V 16mΩ 100A
SCE 200N1700EK6 1700V 13mΩ 200A
SCE 200N1700EK6F 1700V 13mΩ 200A



SCE400N1200EK6B
SiC 모듈, 식스팩(3상)
SCE-MEK6 모듈은 SCE의 1200V Gen3 N채널 SiC MOSFET와 내장 NTC 온도 센서를 채용함

특징

  • 높은 전류 밀도
  • 저인덕턴스 설계
  • 저변화 손실
  • 고주파 작동
  • MOSFET의 턴오프 후 꼬리 전류 없음
  • 노멀리-오프(Normally-off), 고장 안전(Fail-safe) 장치 동작

응용 분야

  • 고주파 스위칭 응용
  • DC/DC 컨버터
  • 전기차용 dc 충전기
  • 용접

상징

파라미터

최소.

전형적인.

최대.

단위

V Ds

드레인-소스 전압

-

-

1200

V

V Gs

게이트-소스 전압

-10

-

+22

V

DC

연속적인 DC 배출 전류

-

400

-

A

DRM

반복적 최고 배수 Cu 임대료

-

800

-

A

T op ; T sTG

작동 및 보관 온도 범위

-40

-

+150

C

L 스트레이

방랑 인덕턴스

-

-

20

nH

V 단독

절연 시험 전압(f=50Hz; t =1분)

-

3.0

-

kV

M

모듈 장착용 조임 토크 나사 M5

3.0

-

6.0

Nm

G

무게

-

300

-

g

R th JC

열적 접합 저항 접합-히트싱크

-

0.12

-

C/W

절대 최대 등급 (at T C =25°C 아니면 그렇지 않으면 지정된 )

상징

파라미터

최소.

전형적인.

최대.

단위

VDS

드레인-소스 전압

-

-

1200

V

VGS

게이트-소스 전압

-10

-

+22

V

IDC

지속 직류 드레인 전류

-

400

-

A

IDRM

반복 피크 드레인 전류

-

800

-

A

상단; Tstg

작동 및 보관 온도 범위

-40

-

+150

C

LStray

방랑 인덕턴스

-

-

20

nH

Visol

절연 시험 전압 (주파수 = 50Hz; 시간 = 1분)

-

3.0

-

kV

M

모듈 장착용 볼트 토크(M5)

3.0

-

6.0

Nm

G

무게

-

300

-

g

Rth JC

열 저항(접합부-히트싱크 간)

-

0.12

-

C/W

치수

Package Dimensions (mm).png

회로

Circuit Diagram Headline.png

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