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간략한 소개
빠른 회복 다이오드 모듈 , MZ x40 0,공기 냉각 ,tECHSEM에서 생산됨.
VRRM |
유형 및 개요 |
|
600V 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V 1800V |
MZx400-06-410F3 MZx400-08-410F3 MZx400-10-410F3 MZx400-12-410F3 MZx400-14-410F3 MZx400-16-410F3 MZx400-18-410F3 MZ400-18-410F3G |
특징 ：
전형적 응용 ：
|
상징 |
특징 |
시험 조건 |
Tj( °C ) |
가치 |
UNIT |
||
분 |
유형 |
최대 |
|||||
IF(AV) |
평균 정방향 전류 |
180。반 사인파 50Hz 단일 측면 냉각, TC=85 。C |
140 |
|
|
400 |
A |
IF (RMS) |
RMS 정방향 전류 |
|
|
628 |
A |
||
IRRM |
반복 피크 전류 |
vRRM에서 |
140 |
|
|
90 |
mA |
IFSM |
서지 정방향 전류 |
10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM |
140 |
|
|
9.5 |
kA |
I 2t |
퓨징 조정을 위한 I2t |
|
|
451 |
103A 2s |
||
VFO |
임계 전압 |
|
140 |
|
|
1.10 |
V |
rF |
정방향 기울기 저항 |
|
|
0.27 |
mΩ |
||
VFM |
피크 정방향 전압 |
IFM= 1200A |
25 |
|
|
2.00 |
V |
trr |
역회복 시간 |
IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR=50V |
140 |
|
4 |
|
μs |
25 |
|
3 |
|
μs |
|||
Rth(j-c) |
열 저항 접합부에서 케이스까지 |
칩당 단면 냉각 |
|
|
|
0.090 |
°C /W |
Rth(c-h) |
열 저항 케이스에서 방열판까지 |
칩당 단면 냉각 |
|
|
|
0.020 |
°C /W |
비소 |
격리 전압 |
50Hz,R.M.S,t= 1분,Iiso:1mA(최대) |
|
3000 |
|
|
V |
|
Fm |
터미널 연결 토크 (M12) |
|
|
12.0 |
|
14.0 |
N·m |
장착 토크 (M8) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N·m |
|
TVj |
접점 온도 |
|
|
-40 |
|
140 |
°C |
TSTG |
저장 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
Wt |
무게 |
|
|
|
3310 |
|
g |
개요 |
410F3 |
||||||
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