GD75HFX170C1S,IGBT 모듈,STARPOWER

상징

설명

값

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1700

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 o C @ T C =100 o C

136

75

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

150

A

P D

최대 전력 소산 @ T vj =175 o C

539

W

상징

설명

값

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1700

V

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

75

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

150

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =75A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.85

2.20

V

I C =75A,V GE =15V, T vj =125 o C

2.25

I C =75A,V GE =15V, T vj =150 o C

2.35

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =3.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

8.5

ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

9.03

nF

C res

역전환 용량

0.22

nF

Q G

게이트 요금

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V GE =±15V, LS =60 nH ,T vj =25 o C

237

nS

t r

상승 시간

59

nS

t d(off)

그림 지연 시간

314

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

361

nS

E 에

켜 Switching 손실

25.0

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

9.5

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V GE =±15V, LS =60 nH ,T vj =125 o C

254

nS

t r

상승 시간

70

nS

t d(off)

그림 지연 시간

383

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

524

nS

E 에

켜 Switching 손실

33.3

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

15.1

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V GE =±15V, LS =60 nH ,T vj =150 o C

257

nS

t r

상승 시간

75

nS

t d(off)

그림 지연 시간

396

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

588

nS

E 에

켜 Switching 손실

36.9

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

16.6

mJ

I SC

SC 데이터

t P ≤10μs, V GE =15V,

T vj =150 o C ,V CC =1000V

V CEM ≤1700V

300

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 앞 전압

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =75A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.80

2.25

V

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =75A,V GE =0V,T vj =12 5o C

1.90

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =75A,V GE =0V,T vj =15 0o C

1.95

Q r

회복 전하

V R =900V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =75A,

-di/dt=700A/μs,V GE =-15V LS =60 nH ,T vj =25 o C

16.4

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

58

A

E rec

역회복 에너지

7.2

mJ

Q r

회복 전하

V R =900V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15V LS =60 nH ,T vj =125 o C

30.8

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

64

A

E rec

역회복 에너지

15.8

mJ

Q r

회복 전하

V R =900V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15V LS =60 nH ,T vj =150 o C

31.4

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

64

A

E rec

역회복 에너지

18.2

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

30

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.65

mΩ

R thJC

교차점 -~까지 -사례 (perIGBT ) 커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.278 0.467

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.160 0.268 0.050

K/W

M

단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 나사 M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

무게 of 모듈

150

g