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800A,2000V~2500V,410F3
간략한 소개
타이리스터/다이오드 모듈, MTx 800 MFx 800 MT 800，800A ,공기 냉각 ，tECHSEM에서 생산됨.
VRRM,VDRM |
유형 및 개요 |
|
600V |
MTx800-06-410F3 |
MFx800-06-410F3 |
800V |
MTx800-08-410F3 |
MFx800-08-410F3 |
1000V |
MTx800-10-410F3 |
MFx800-10-410F3 |
1200V |
MTx800-12-410F3 |
MFx800-12-410F3 |
1400V |
MTx800-14-410F3 |
MFx800-14-410F3 |
1800V |
MTx800-16-410F3 |
MFx800-16-410F3 |
1800V |
MTx800-18-410F3 |
MFx800-18-410F3 |
1800V |
MT800-18-410F3G |
|
MTx는 모든 종류 MTC, MTA, MTK
MFx는 어떤 타입을 뜻합니다. e의 MFC, 국무외국, MFK
기능
전형적 응용
|
상징 |
특징 |
시험 조건 |
Tj( °C ) |
값 |
UNIT |
||
분 |
유형 |
최대 |
|||||
IT(AV) |
평균 온 상태 전류 |
180° 반 사인파 50Hz 단면 냉각, TC=70 °C |
125 |
|
|
800 |
A |
IT(RMS) |
RMS 온 상태 전류 |
|
|
1256 |
A |
||
Idrm Irrm |
반복 피크 전류 |
vDRM에서 VRRM에서 |
125 |
|
|
45 |
mA |
ITSM |
서지 온 상태 전류 |
VR=60%VRRM,t=10ms 반 사이스 |
125 |
|
|
22.0 |
kA |
I2t |
퓨징 조정을 위한 I2t |
125 |
|
|
2420 |
103A2s |
|
VTO |
임계 전압 |
|
125 |
|
|
0.80 |
V |
르티 |
온 상태 기울기 저항 |
|
|
0.24 |
mΩ |
||
VTM |
피크 온 상태 전압 |
ITM=2400A |
25 |
|
|
1.68 |
V |
dv/dt |
오프 상태 전압의 비판적 상승 속도 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
정전 전류의 급격한 증가율 |
게이트 소스 1.5A tr ≤0.5μs 반복 |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
게이트 트리거 전류 |
VA=12V, IA=1A |
25 |
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
게이트 트리거 전압 |
0.8 |
|
3.0 |
V |
||
IH |
유지 전류 |
10 |
|
200 |
mA |
||
IL |
래칭 전류 |
|
|
1500 |
mA |
||
VGD |
비트리거 게이트 전압 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
열 저항 접합부에서 케이스까지 |
칩당 단면 냉각 |
|
|
|
0.048 |
°C )/W |
Rth(c-h) |
열 저항 케이스에서 방열판까지 |
칩당 단면 냉각 |
|
|
|
0.020 |
°C )/W |
비소 |
격리 전압 |
50Hz, R.M.S, t=1분, Iiso: 1mA(최대) |
|
3000 |
|
|
V |
|
Fm |
터미널 연결 토크 (M12) |
|
|
12.0 |
|
16.0 |
N·m |
장착 토크 (M8) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N·m |
|
TVj |
접점 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C ) |
TSTG |
저장 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C ) |
Wt |
무게 |
|
|
|
3310 |
|
g |
개요 |
410F3 |
||||||
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