간략한 소개
IGBT 모듈 , STARPOWER에서 생산됨. 1200V 3600A.
기능
전형적 응용
절대 최대 등급 T C=25℃ 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
설명 |
GD3600SGT120C4S |
유닛 |
볼트 CES |
컬렉터-이미터 전압 |
1200 |
볼트 |
볼트 GES |
게이트-이미터 전압 |
±20 |
볼트 |
나 C |
@ T C=25℃ @ T C=80℃ |
4800 |
A |
3600 | |||
나 Cm (1) |
펄스 콜렉터 전류 t p = 1밀리초 |
7200 |
A |
나 F |
다이오드 연속 전류 |
3600 |
A |
나 Fm |
다이오드 최대의 앞회수 임대료 |
7200 |
A |
PD |
최대 전력 분산 @ T j =175℃ |
16.7 |
kW |
T jmax |
최대 분기 온도 |
175 |
℃ |
T STG |
보관 온도 범위 |
-40에서 +125 |
℃ |
볼트 ISO |
격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1min |
2500 |
볼트 |
장착 |
신호 단자 나사:M4 |
1.8에서 2.1 |
|
전원 터미널 나사:M8 |
8.0에서 10 |
N.M |
|
토크 |
장착 스ikulu:M6 |
4.25에서 5.75 |
|
전기적 특성 의 IGBT T C=25℃ 아니면 그렇지 않으면 기재됨
특징이 없네요
상징 |
사양 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
유닛 |
볼트 (BR )CES |
수집자-출출자 피⌂크다운 전압 |
T j =25℃ |
1200 |
|
|
볼트 |
나 CES |
수집가 절단 -끄다 현재 |
볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V, T j =25℃ |
|
|
5.0 |
mA |
나 GES |
게이트 발사자 누출 현재 |
볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T j =25℃ |
|
|
400 |
부적절함 |
특징 에 관한 것
상징 |
사양 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
유닛 |
볼트 GE (th) |
게이트 발산자 문 전압 |
나 C=145mA ,볼트 CE =볼트 GE ,T j =25℃ |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
볼트 |
|
볼트 CE (sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 |
나 C=3600A,V GE =15V, T j =25℃ |
|
1.70 |
2.15 |
볼트 |
나 C=3600A,V GE =15V, T j =125℃ |
|
2.00 |
2.45 |
변동 특성
상징 |
사양 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
유닛 |
문의 지 |
게이트 요금 |
볼트 GE =- 15...+15V |
|
35.0 |
|
μC |
R Gint |
내부 게이트 저항 |
T j =25℃ |
|
0.5 |
|
ω |
t d (켜짐 ) |
턴온 지연 시간 |
볼트 CC =600V,I C=3600A, R Gon =0.8Ω, R 고프 =0.2Ω, 볼트 GE =±15V,T j =25℃ |
|
600 |
|
nS |
t r |
상승 시간 |
|
235 |
|
nS |
|
t d(off) |
그림 지연 시간 |
|
825 |
|
nS |
|
t f |
하강 시간 |
|
145 |
|
nS |
|
E켜짐 |
켜 전환 손실 |
|
/ |
|
mJ |
|
E끄다 |
턴오프 스위칭 손실 |
|
/ |
|
mJ |
|
t d (켜짐 ) |
턴온 지연 시간 |
볼트 CC =600V,I C=3600A, R Gon =0.8Ω, R 고프 =0.2Ω, 볼트 GE =±15V,T j =125℃ |
|
665 |
|
nS |
t r |
상승 시간 |
|
215 |
|
nS |
|
t d(off) |
그림 지연 시간 |
|
970 |
|
nS |
|
t f |
하강 시간 |
|
180 |
|
nS |
|
E켜짐 |
켜 전환 손실 |
|
736 |
|
mJ |
|
E끄다 |
턴오프 스위칭 손실 |
|
569 |
|
mJ |
|
Cies |
입력 용량 |
볼트 CE =25V,f=1Mhz, 볼트 GE =0V |
|
258 |
|
nF |
C소 |
출력 용량 |
|
13.5 |
|
nF |
|
Cres |
역전환 용량 |
|
11.7 |
|
nF |
|
|
나 SC |
SC 데이터 |
t 초 C≤10μs,V GE =15V, T j =125℃v CC =900V, 볼트 CEM ≤1200V |
|
14000 |
|
A |
LCE |
방랑 인덕턴스 |
|
|
10 |
|
nH |
R CC ’+EE ’ |
모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로 |
|
|
0.12 |
|
분 ω |
전기적 특성 의 다이오드 T C=25℃ 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
사양 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
유닛 |
|
볼트 F |
다이오드 앞 전압 |
나 F =3600A |
T j =25℃ |
|
1.65 |
2.15 |
볼트 |
T j =125℃ |
|
1.65 |
2.15 |
||||
문의 r |
회복 전하 |
나 F =3600A, 볼트 R =600V, R Gon =0.8Ω, 볼트 GE =- 15V |
T j =25℃ |
|
360 |
|
μC |
T j =125℃ |
|
670 |
|
||||
나 RM |
역회복 현재 |
T j =25℃ |
|
2500 |
|
A |
|
T j =125℃ |
|
3200 |
|
||||
Erec |
역회복 에너지 |
T j =25℃ |
|
97 |
|
mJ |
|
T j =125℃ |
|
180 |
|
||||
열 특성 티크
상징 |
사양 |
전형적인. |
최대. |
유닛 |
R θ JC |
부문별 (IGB당) T) |
|
9.0 |
K/kW |
R θ JC |
접합부-케이스 (다이오드당) de) |
|
15.6 |
K/kW |
R θ CS |
케이스-싱크 (전도성 그리스 적용, M당) 오두엘) |
4 |
|
K/kW |
무게 |
무게 의 모듈 |
2250 |
|
지 |
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