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간략한 소개
티리스터/ 다이오드 모듈 , MTx 600 MFx 600 MT 600，600A ,물 냉각 ，tECHSEM에서 생산됨.
V RRM v DRM |
타입 & 개요 |
|
600V |
MT3 수소수 |
MFx600-06-406F3 |
800V |
MT3 수소수 |
MFx600-08-406F3 |
1000V |
MTx600-10-406F3 |
MFx600-10-406F3 |
1200V |
MTx600-12-406F3 |
MFx600-12-406F3 |
1400V |
MTx600-14-406F3 |
MFx600-14-406F3 |
1600V |
MTx600-16-406F3 |
MFx600-16-406F3 |
1800V |
MTx600-18-406F3 |
MFx600-18-406F3 |
1800V |
MT600-18-406F3G |
|
MTx는 모든 종류의 MTC, MTA , MTK
MFx는 모든 종류의 MFC, 국무외국, MFK
특징
전형적 응용
|
상징 |
특징 |
시험 조건 |
Tj( °C ) |
가치 |
UNIT |
||
분 |
유형 |
최대 |
|||||
IT(AV) |
평균 온 상태 전류 |
180° 반 사인파 50Hz 단면 냉각, THS=55 。C |
125 |
|
|
600 |
A |
IT(RMS) |
RMS 온 상태 전류 |
|
|
942 |
A |
||
Idrm Irrm |
반복 피크 전류 |
vDRM에서 VRRM에서 |
125 |
|
|
45 |
mA |
ITSM |
서지 온 상태 전류 |
VR=60%VRRM,t=10ms 반 사이너스 |
125 |
|
|
16.0 |
kA |
I2t |
퓨징 조정을 위한 I2t |
125 |
|
|
1280 |
103A 2s |
|
VTO |
임계 전압 |
|
125 |
|
|
0.85 |
V |
르티 |
온 상태 기울기 저항 |
|
|
0.30 |
mΩ |
||
VTM |
피크 온 상태 전압 |
ITM=1800A |
25 |
|
|
1.90 |
V |
dv/dt |
오프 상태 전압의 비판적 상승 속도 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
정전 전류의 급격한 증가율 |
게이트 소스 1.5A tr ≤0.5μs 반복 |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
게이트 트리거 전류 |
VA=12V, IA=1A |
25 |
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
게이트 트리거 전압 |
0.8 |
|
3.0 |
V |
||
IH |
유지 전류 |
10 |
|
200 |
mA |
||
IL |
래칭 전류 |
|
|
1000 |
mA |
||
VGD |
비트리거 게이트 전압 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
열 저항 접합부에서 케이스까지 |
칩당 단면 냉각 |
|
|
|
0.085 |
°C /W |
Rth(c-h) |
열 저항 케이스에서 방열판까지 |
칩당 단면 냉각 |
|
|
|
0.040 |
°C /W |
비소 |
격리 전압 |
50Hz, R.M.S, t=1분, Iiso: 1mA(최대) |
|
3000 |
|
|
V |
|
Fm |
터미널 연결 토크 (M12) |
|
|
12 |
|
14 |
N·m |
장착 토크(M6) |
|
|
4.5 |
|
6 |
N·m |
|
TVj |
접점 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
TSTG |
저장 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
Wt |
무게 |
|
|
|
1580 |
|
g |
개요 |
406F3 |
||||||
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