홈페이지 / 제품 / 사이리스터/다이오드 모듈 / 사이리스터/정류기 모듈 / 물 냉각
간략한 소개
티리스터/다이오드 모듈 e, MTx1000 MFx1000 MT1000 ，1000A ,물 냉각 ，tECHSEM에서 생산됨.
VRRM,VDRM |
유형 및 개요 |
|
2000V |
MT3 수소수 |
MFx1000-20-411F3 |
2200V |
MT3 수소수 |
MFx1000-22-411F3 |
2500V |
MT3 수소수 |
MFx1000-25-411F3 |
2500V |
MT1000-25-411F3G |
|
특징
전형적 응용
|
상징 |
특징 |
시험 조건 |
Tj( °C ) |
가치 |
UNIT |
||
분 |
유형 |
최대 |
|||||
IT(AV) |
평균 온 상태 전류 |
180。반 사인파 50Hz 단면 냉각, THS=55 °C |
125 |
|
|
1000 |
A |
IT(RMS) |
RMS 온 상태 전류 |
|
|
1570 |
A |
||
Idrm Irrm |
반복 피크 전류 |
vDRM에서 VRRM에서 |
125 |
|
|
50 |
mA |
ITSM |
서지 온 상태 전류 |
VR=60%VRRM, t=10ms 반 사이스 |
125 |
|
|
18.0 |
kA |
I2t |
퓨징 조정을 위한 I2t |
125 |
|
|
1620 |
103A 2s |
|
VTO |
임계 전압 |
|
125 |
|
|
0.85 |
V |
르티 |
온 상태 기울기 저항 |
|
|
0.24 |
mΩ |
||
VTM |
피크 온 상태 전압 |
ITM=3000A |
25 |
|
|
2.20 |
V |
dv/dt |
오프 상태 전압의 비판적 상승 속도 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
정전 전류의 급격한 증가율 |
게이트 소스 1.5A tr ≤0.5μs 반복적 |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
게이트 트리거 전류 |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
게이트 트리거 전압 |
0.8 |
|
3.0 |
V |
||
IH |
유지 전류 |
10 |
|
200 |
mA |
||
IL |
래칭 전류 |
|
|
1000 |
mA |
||
VGD |
비트리거 게이트 전압 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
열 저항 접합부에서 케이스까지 |
단면 냉각 칩당 |
|
|
|
0.048 |
。C/W |
Rth(c-h) |
열 저항 케이스에서 방열판까지 |
단면 냉각 칩당 |
|
|
|
0.024 |
。C/W |
비소 |
격리 전압 |
50Hz,R.M.S,t= 1분,Iiso:1mA(최대) |
|
3000 |
|
|
V |
|
Fm |
터미널 연결 토크 (M12) |
|
|
12 |
|
16 |
N·m |
장착 토크 (M8) |
|
|
10 |
|
12 |
N·m |
|
TVj |
접점 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
TSTG |
저장 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
Wt |
무게 |
|
|
|
3230 |
|
g |
개요 |
411F3 |
||||||
우리의 전문 판매팀은 당신의 상담을 기다리고 있습니다.
제품 목록을 따라가면 관심 있는 질문을 할 수 있습니다.
EN
