GD900SGF120A3SN,IGBT 모듈,STARPOWER

상징

설명

값

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

1200

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

±20

볼트

나 C

콜렉터 전류 @ T C=25o C @ T C=100o C

1466

900

A

나 Cm

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

1800

A

PD

최대 전력 분산 @ T vj =175o C

5.34

kW

상징

설명

값

단위

볼트 RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

볼트

나 F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

900

A

나 Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

1800

A

상징

설명

값

단위

T vjmax

최대 분기 온도

175

o C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

볼트 ISO

격리 전압 RMS,f=50Hz,t= 1분

4000

볼트

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

나 C=900A,V GE =15V, T vj =25o C

2.00

2.45

볼트

나 C=900A,V GE =15V, T vj =125o C

2.50

나 C=900A,V GE =15V, T vj =150o C

2.65

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

나 C=32.0mA ,볼트 CE =볼트 GE , T vj =25o C

5.2

6.0

6.8

볼트

나 CES

수집가 절단 -끄다 현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

나 GES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T vj =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

1.44

ω

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=900A, R Gon =1Ω, R 고프 =2Ω, Ls=50nH,

볼트 GE =-10/+/15V, T vj =25o C

520

nS

t r

상승 시간

127

nS

t d(off)

그림 지연 시간

493

nS

t f

하강 시간

72

nS

E켜짐

켜 전환 손실

76.0

mJ

E끄다

그림 전환 손실

85.0

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=900A, R Gon =1Ω, R 고프 =2Ω, Ls=50nH,

볼트 GE =-10/+/15V, T vj =125o C

580

nS

t r

상승 시간

168

nS

t d(off)

그림 지연 시간

644

nS

t f

하강 시간

89

nS

E켜짐

켜 전환 손실

127

mJ

E끄다

그림 전환 손실

98.5

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=900A, R Gon =1Ω, R 고프 =2Ω, Ls=50nH,

볼트 GE =-10/+/15V, T vj =150o C

629

nS

t r

상승 시간

176

nS

t d(off)

그림 지연 시간

676

nS

t f

하강 시간

96

nS

E켜짐

켜 전환 손실

134

mJ

E끄다

그림 전환 손실

99.0

mJ

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 F

다이오드 앞 전압

나 F =900A,V GE =0V,T vj =25o C

1.95

2.40

볼트

나 F =900A,V GE =0V,T vj =125o C

2.00

나 F =900A,V GE =0V,T vj =150o C

2.05

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =900A,

-di/dt=7100A/μs, Ls=50nH, 볼트 GE =-10V,

T vj =25o C

80

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

486

A

Erec

역회복 에너지

35.0

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =900A,

-di/dt=5180A/μs, Ls=50nH, 볼트 GE =-10V,

T vj =125o C

153

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

510

A

Erec

역회복 에너지

64.0

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =900A,

-di/dt=4990A/μs, Ls=50nH, 볼트 GE =-10V,

T vj =150o C

158

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

513

A

Erec

역회복 에너지

74.0

mJ

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

LCE

방랑 인덕턴스

12

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.19

mΩ

R thJC

교차점 -~까지 -사례 (perIGBT ) 커스 (D) 에 대한 연결 오드)

28.1 44.1

K/kW

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-히트싱크 (per 모듈)

9.82 15.4 6.0

K/kW

분

단자 연결 토크, 나사 M4 단자 연결 토크, 스크루브 M8 장착 토크, 나사 M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

지

무게 의 모듈

1050

지