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위상 제어 사이리스터

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H125KPU, 위상 제어 사이리스터

부분 제1호 H125KPU-KT110dT

Brand:
기술 세미나
Spu:
H125KPU-KT110dT
Appurtenance:

제품 브로셔: 다운로드

  • 소개
  • 개요
소개

IT(AV)

2800A

VDRM, VRRM

8000V

8500V

특징

  • 중앙 증폭 게이트
  • 세라믹 절연체가 있는 금속 케이스
  • 낮은 온 상태 및 스위칭 손실

전형적 응용

  • AC 컨트롤러
  • DC 및 AC 모터 제어
  • 제어 정류기

상징

특징

시험 조건

Tj(℃ )

가치

UNIT

유형

최대

IT(AV)

평균 온 상태 전류

180반 사인파 50Hz 이중 냉각

TC=55 C

90

2800

A

IDRM IRRM

반복적 최고 전류

vDRM에서 tp= 10ms vRRM에서 tp= 10ms

90

700

mA

ITSM

서지 온 상태 전류

10ms 반 시노스 파동 VR=0.6VRRM

90

40

kA

I 2t

I 2융합 조정용 시간

8000

103A 2s

VTO

임계 전압

90

0.92

V

르티

온 상태 기울기 저항

0.32

VTM

피크 온 상태 전압

ITM=3000A, F= 120kN

25

1.95

V

dv/dt

급격한 증가율 o f 상태 밖 전압

VDM=0.67VDRM

90

2000

V/μs

di/dt

급격한 증가율 정식 상태 전류

VDM=67%VDRM

포트 펄스 tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

90

100

A/μs

Qrr

회복 전하

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V

90

6500

μC

IGT

게이트 트리거 전류

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

Vgt

게이트 트리거 전압

0.8

3.0

V

I H

유지 전류

25

200

mA

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM=67%VDRM

90

0.3

V

Rth(j-c)

열 저항 접합에서 케이스까지

이중 냉각

120kN

0.004

C /W

Rth(c-h)

열 저항 케이스에서 열기

0.001

개요

H125KPU-2.png

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