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간략한 소개
사이리스터 모듈(비격리형) ,MTG200 ,MTY200 ,tECHSEM에서 생산됨.
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VRRM,VDRM |
유형 및 개요 |
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800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V |
MTx200-08-213F4 MTx200-10-213F4 MTx200-12-213F4 MTx200-14-213F4 MTx200-16-213F4 MTx200-18-213F4 |
MFx200-08-213F4 MFx200-10-213F4 MFx200-12-213F4 MFx200-14-213F4 MFx200-16-213F4 MFx200-18-213F4 |
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MTx는 모든 유형의 MTG, MTY를 나타냅니다 MFx는 모든 유형의 MFG, MFY를 나타냅니다 | ||||
기능 ：
전형적 응용 ：
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상징 |
특징 |
시험 조건 |
Tj( °C ) |
값 |
UNIT |
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분 |
유형 |
최대 |
|||||
IT(AV) |
평균 온 상태 전류 |
180° 반 사인파 50Hz 단면 냉각, TC=90 °C |
125 |
|
|
200 |
A |
IT(RMS) |
RMS 온 상태 전류 |
|
|
314 |
A |
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Idrm Irrm |
반복 피크 전류 |
vDRM에서 VRRM에서 |
125 |
|
|
20 |
mA |
ITSM |
서지 온 상태 전류 |
VR=60%VRRM, t=10ms 반 사이스 |
125 |
|
|
5.2 |
kA |
I2t |
퓨징 조정을 위한 I2t |
125 |
|
|
135 |
103A 2s |
|
VTO |
임계 전압 |
|
125 |
|
|
0.80 |
V |
르티 |
온 상태 기울기 저항 |
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|
1.15 |
mΩ |
||
VTM |
피크 온 상태 전압 |
ITM=600A |
25 |
|
|
1.62 |
V |
dv/dt |
오프 상태 전압의 비판적 상승 속도 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
800 |
V/μs |
di/dt |
정전 전류의 급격한 증가율 |
게이트 소스 1.5A tr ≤0.5μs 반복 |
125 |
|
|
100 |
A/μs |
IGT |
게이트 트리거 전류 |
VA=12V, IA=1A |
25 |
30 |
|
150 |
mA |
Vgt |
게이트 트리거 전압 |
0.8 |
|
2.5 |
V |
||
IH |
유지 전류 |
10 |
|
180 |
mA |
||
IL |
래칭 전류 |
|
|
1000 |
mA |
||
VGD |
비트리거 게이트 전압 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
V |
Rth(j-c) |
열 저항 접합부에서 케이스까지 |
180에서 。사인, 칩당 단면 냉각 |
|
|
|
0.13 |
°C /W |
Rth(c-h) |
열 저항 케이스에서 방열판까지 |
180에서 ° 사인, 칩당 단면 냉각 |
|
|
|
0.10 |
°C /W |
|
Fm |
단자 연결 토크(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
장착 토크(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
|
TVj |
접점 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
TSTG |
저장 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
Wt |
무게 |
|
|
|
280 |
|
g |
개요 |
213F4 |
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