GD600HFX120C2S, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

값

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

1200

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

일시적인 게이트-에미터 전압

±20

±30

볼트

나 C

콜렉터 전류 @ T C=25o C

@ T C=90o C

873

600

A

나 Cm

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

1200

A

PD

최대 전력 분산 @ T j =175o C

2727

W

상징

설명

값

단위

볼트 RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

볼트

나 F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

600

A

나 Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

1200

A

상징

설명

값

단위

T jmax

최대 분기 온도

175

o C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

볼트 ISO

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

2500

볼트

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

나 C=600A,V GE =15V, T j =25o C

1.75

2.20

볼트

나 C=600A,V GE =15V, T j =125o C

2.00

나 C=600A,V GE =15V, T j =150o C

2.05

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

나 C=24.0mA ,볼트 CE =볼트 GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

볼트

나 CES

수집가 절단 -끄다

현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

나 GES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T j =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

0.7

ω

Cies

입력 용량

볼트 CE =25V,f=1Mhz,

볼트 GE =0V

55.9

nF

Cres

역전환

용량

1.57

nF

문의 지

게이트 요금

볼트 GE =- 15...+15V

4.20

μC

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=600A, R 지 =1.5Ω

l 초 =34nH, V GE =±15V,T j =25o C

109

nS

t r

상승 시간

62

nS

t d(off)

그림 지연 시간

469

nS

t f

하강 시간

68

nS

E켜짐

켜 전환

손실

42.5

mJ

E끄다

그림 전환

손실

46.0

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=600A, R 지 =1.5Ω,

L초 =34nH ,

볼트 GE =±15V,T j =125o C

143

nS

t r

상승 시간

62

nS

t d(off)

그림 지연 시간

597

nS

t f

하강 시간

107

nS

E켜짐

켜 전환

손실

56.5

mJ

E끄다

그림 전환

손실

70.5

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=600A, R 지 =1.5Ω,

L초 =34nH ,

볼트 GE =±15V,T j =150o C

143

nS

t r

상승 시간

68

nS

t d(off)

그림 지연 시간

637

nS

t f

하강 시간

118

nS

E켜짐

켜 전환

손실

61.2

mJ

E끄다

그림 전환

손실

77.8

mJ

나 SC

SC 데이터

t P≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, 볼트 CEM ≤1200V

2400

A

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 F

다이오드 앞

전압

나 F =600A,V GE =0V,T j =25o C

1.95

2.40

볼트

나 F =600A,V GE =0V,T j =125o C

2.05

나 F =600A,V GE =0V,T j =150o C

2.10

문의 r

회복 전하

볼트 CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, L초 =34nH ,T j =25o C

58.9

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

276

A

Erec

역회복 에너지

20.9

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, L초 =34nH ,T j =125o C

109

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

399

A

Erec

역회복 에너지

41.8

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, L초 =34nH ,T j =150o C

124

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

428

A

Erec

역회복 에너지

48.5

mJ

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

LCE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.35

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T)

커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.055

0.089

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드)

케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.032

0.052

0.010

K/W

분

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

지

무게 의 모듈

300

지