GD100PIX120C6SNA, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 o C @ T C =100 o C

155

100

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

200

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =175 o C

511

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

100

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

200

A

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1600

V

I O

평균 출력 전류 5 0Hz/60Hz, 사인파

100

A

I FSM

서지 전류 t 전 =10ms @ T j = 25o C @ T j =150 o C

1150

880

A

I 2t

I 2t값,t 전 =10ms @ T j =25 o C @ T j =150 o C

6600

3850

A 2s

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 o C @ T C =100 o C

87

50

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

100

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =175 o C

308

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

25

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

50

A

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 접합부 온도(인버터, 브레이크) 최대 접합부 온도 (정류기)

175

150

o C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

V Iso

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

2500

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =100A,V GE =15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

I C =100A,V GE =15V, T j =125 o C

1.95

I C =100A,V GE =15V, T j =150 o C

2.00

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =4.00 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

7.5

ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

10.4

nF

C res

역전환 용량

0.29

nF

Q G

게이트 요금

V GE =-15 ...+15V

0.78

μC

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =100A, R G =1.6Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

218

nS

t r

상승 시간

35

nS

t d(off)

그림 지연 시간

287

nS

t f

하강 시간

212

nS

이 에

켜 Switching 손실

9.23

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

6.85

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =100A, R G =1.6Ω,V GE =±15V, T j =125 o C

242

nS

t r

상승 시간

41

nS

t d(off)

그림 지연 시간

352

nS

t f

하강 시간

323

nS

이 에

켜 Switching 손실

13.6

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

9.95

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =100A, R G =1.6Ω,V GE =±15V, T j =150 o C

248

nS

t r

상승 시간

43

nS

t d(off)

그림 지연 시간

365

nS

t f

하강 시간

333

nS

이 에

켜 Switching 손실

14.9

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

10.5

mJ

I SC

SC 데이터

t 전 ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

400

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F =100A,V GE =0V,T j =25 o C

1.85

2.30

V

I F =100A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.90

I F =100A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.95

Q r

회복 전하

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2500A/μs,V GE =-15V T j =25 o C

5.89

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

103

A

이 rec

역회복 에너지

3.85

mJ

Q r

회복 전하

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2100A/μs,V GE =-15V T j =125 o C

13.7

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

109

A

이 rec

역회복 에너지

6.64

mJ

Q r

회복 전하

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=1950A/μs,V GE =-15V T j =150 o C

15.6

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

109

A

이 rec

역회복 에너지

7.39

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F =100A, T j =150 o C

0.95

V

I R

역방향 전류

T j =150 o C,V R =1600V

2.0

mA

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =50A,V GE =15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

I C =50A,V GE =15V, T j =125 o C

1.95

I C =50A,V GE =15V, T j =150 o C

2.00

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =2.00 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

0

ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

5.18

nF

C res

역전환 용량

0.15

nF

Q G

게이트 요금

V GE =-15 ...+15V

0.39

μC

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =50A, R G =15Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

171

nS

t r

상승 시간

32

nS

t d(off)

그림 지연 시간

340

nS

t f

하강 시간

82

nS

이 에

켜 Switching 손실

6.10

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

2.88

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =50A, R G =15Ω,V GE =±15V, T j =125 o C

182

nS

t r

상승 시간

43

nS

t d(off)

그림 지연 시간

443

nS

t f

하강 시간

155

nS

이 에

켜 Switching 손실

8.24

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

4.43

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =50A, R G =15Ω,V GE =±15V, T j =150 o C

182

nS

t r

상승 시간

43

nS

t d(off)

그림 지연 시간

464

nS

t f

하강 시간

175

nS

이 에

켜 Switching 손실

8.99

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

4.94

mJ

I SC

SC 데이터

t 전 ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

200

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F =25A,V GE =0V,T j =25 o C

1.85

2.30

V

I F =25A,V GE =0V,T j =125 o C

1.90

I F =25A,V GE =0V,T j =150 o C

1.95

Q r

회복 전하

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V T j =25 o C

2.9

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

55

A

이 rec

역회복 에너지

0.93

mJ

Q r

회복 전하

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V T j =125 o C

5.1

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

58

A

이 rec

역회복 에너지

1.72

mJ

Q r

회복 전하

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V T j =150 o C

5.6

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

60

A

이 rec

역회복 에너지

2.01

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 of R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

전 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

40

nH

R CC+EE R AA + CC ’

모듈 리드 레시스타 nce,단자에서 칩까지

4.00 3.00

mΩ

R thJC

교차점 -에 -사례 (perIGBT -인버터 )

접합부-케이스 (다이오드당-인버터 )

접합부-외각 (다이오드 당-정류기 )

교차점 -에 -사례 (perIGBT -브레이크 -초퍼 ) 접합부-외장 (각 다이오드-브레이크-チョ프 각)

0.293 0.505 0.503 0.487 1.233

K/W

R thCH

사례 -에 -열기 (perIGBT -인버터 )

케이스-히트싱크 (다이오드당- )

외각-히트싱크 (다이오드 당-정류기 )

사례 -에 -열기 (perIGBT -브레이크 -초퍼 )케이스-히트싱크 (다이오드-브레이크- チョ퍼) 케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009

K/W

M

장착 토크, 스ikulu:M5

3.0

6.0

N.M

G

무게 of 모듈

300

g