MK(H)x250 MK250,빠른 차단 사이리스터 모듈,공기 냉각

250A,600V~1800V,415F3

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MK(H)x250 MK250

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간략한 소개

빠른 차단 사이리스터 모 듈 ,MK(H)x250 MK250 ,25 0A .공기 냉각,TECHSEM에서 생산.

MKx는 모든 유형의 MKC, MKA, MKK

MHx는 모든 유형의 MHC, MHA, MHK

특징 ：

전형적 응용

상징	특징	시험 조건	Tj( °C )	가치			UNIT
상징	특징	시험 조건	Tj( °C )	분	유형	최대	UNIT
IT(AV)	평균 온 상태 전류	180° 반 사인파 50Hz 단면 냉각,Tc=85 °C	125			250	A
IT(RMS)	RMS 온 상태 전류	180° 반 사인파 50Hz 단면 냉각,Tc=85 °C	125			392	A
Idrm Irrm	반복 피크 전류	vDRM에서 VRRM에서	125			80	mA
ITSM	서지 온 상태 전류	10ms 반 사인파 VR=60%VRRM	125			5.60	kA
I ²t	퓨징 조정을 위한 I2t	10ms 반 사인파 VR=60%VRRM	125			157	10³A ²s
VTO	임계 전압		125			1.30	V
르티	온 상태 기울기 저항		125			0.38	m
VTM	피크 온 상태 전압	ITM=750A	25			2.69	V
dv/dt	오프 상태 전압의 비판적 상승 속도	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	정전 전류의 급격한 증가율	게이트 소스 1.5A tr ≤0.5μs 반복	125			200	A/μs
tq	회로 전환 차단 시간	ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs	125	20		40	μs
tq	회로 전환 차단 시간	ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs	25	6		16	μs
IGT	게이트 트리거 전류	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	mA
Vgt	게이트 트리거 전압			0.8		3.0	V
IH	유지 전류			20		200	mA
IL	래칭 전류					1000	mA
VGD	비트리거 게이트 전압	VDM= 67%VDRM	125			0.2	V
Rth(j-c)	열 저항 접합부에서 케이스까지	칩당 단면 냉각				0.100	°C /W
Rth(c-h)	열 저항 케이스에서 방열판까지	칩당 단면 냉각				0.040	°C /W
비소	격리 전압	50Hz,R.M.S,t= 1분,Iiso:1mA(최대)		2500			V
Fm	단자 연결 토크(M10)			10.0		12.0	N·m
Fm	장착 토크(M6)			4.5		6.0	N·m
TVj	접점 온도			-40		125	°C
TSTG	저장 온도			-40		125	°C
Wt	무게				1260		g
개요	415F3