홈페이지 / 제품 / IGBT 모듈 / IGBT 모듈 1200V
주요 기능
전형적 응용
| 상징 | 시험 조건 | 등급 | UNIT |
| VCES | Tj=25°C | 1200 | V |
| IC | TC=100°C, Tj=175°C | 40 | A |
| ICRM | tP=1ms | 80 | A |
| VGES | -- | ±20 | V |
| Ptot | TC=25°C, Tj=175°C | 214 | W |
IGBT, 전기적 파라미터
| 매개변수 | 상징 | 시험 조건 | 분 | 유형 | 최대 | UNIT | |
| 콜렉터-이미터 포화 전압 | VCEsat | IC=40A ，VGE=15V ，Tj=25°C | -- | 1.94 | -- | V | |
| IC=40A ，VGE=15V ，Tj=125°C | -- | 2.33 | -- | ||||
| IC=40A ，VGE=15V ，Tj=150°C | -- | 2.43 | -- | ||||
| 게이트-이미터 임계 전압 | VGEth | IC=1.5mA, VGE=VCE, Tj=25°C | 5.2 | 6.08 | 6.5 | V | |
| 콜렉터-에미터 차단 전류 | ICES | VCE=1200V ，VGE=0V ，Tj=25°C | -- | -- | 1 | mA | |
| 게이트 누설 전류 | IGES | VCE=0V, VGE=±20V, Tj=25°C | -500 | -- | 500 | 부적절함 | |
| 게이트 전하 | 본부 | VGE = -15V~+15V, VCC = 600V, IC = 40A, | -- | 0.24 | -- | μC | |
| 입력 용량 | 시스 | f = 1MHz, VCE = 25V, VGE = 0V, Tj = 25°C | -- | 3.13 | -- | nF | |
| 출력 용량 | 코스 | 0.17 | |||||
| 역전이 용량 | 크레스 | -- | 0.09 | -- | |||
| td(on) | VCC = 600V | Tj=25°C | -- | 45.6 | -- | nS | |
| 턴온 지연 시간 | IC=40A, | Tj=125°C | -- | 28.5 | -- | nS | |
| VGE=±15V, | Tj=150°C | -- | 28.8 | -- | nS | ||
| 상승 시간 | tr | Rg(on)=12Ω ， | Tj=25°C | -- | 44.2 | -- | nS |
| Tj=125°C | -- | 54.1 | -- | nS | |||
| Tj=150°C | -- | 54.9 | -- | nS | |||
| 소멸 지연 시간 | td(off) | Rg(off)=12Ω, | Tj=25°C | -- | 139.4 | -- | nS |
| Tj=125°C | -- | 169.8 | -- | nS | |||
| Tj=150°C | -- | 173 | -- | nS | |||
| 하강 시간 | tF | Tj=25°C | -- | 234.1 | -- | nS | |
| Tj=125°C | -- | 293.8 | -- | nS | |||
| Tj=150°C | -- | 278.6 | -- | nS | |||
| 투입 에너지(펄스당) | EON | Tj=25°C | -- | 4.61 | -- | mJ | |
| Tj=125°C | -- | 6.56 | -- | mJ | |||
| Tj=150°C | -- | 7.01 | -- | mJ | |||
| 소멸 에너지(펄스당) | EOFF | Tj=25°C | -- | 2.19 | -- | mJ | |
| Tj=125°C | -- | 3.28 | -- | mJ | |||
| Tj=150°C | -- | 2.93 | -- | mJ | |||
| 단락 전류 | ISC | VGE ≤ 15V, VCC = 600V, tp ≤ | Tj=125°C | -- | 243 | -- | A |
| 10μs, VCES ≤ 1200V | |||||||
| 열 저항(접합부 대 케이스) | RthJC | PerIGBT | -- | -- | 0.7 | K/W | |
생산 조건 및 납기
고객사
설계에서 비롯된 품질 보증
제조 과정에서의 품질 관리
엄격한 신뢰성 기준
기술 지원
회로도
포장 치수
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