GD600HFX120C2SA, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

값

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

1200

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

±20

볼트

나 C

콜렉터 전류 @ T C=25o C

@ T C= 100o C

925

600

A

나 Cm

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

1200

A

PD

최대 전력 분산 @ T j =175o C

3000

W

상징

설명

값

단위

볼트 RRM

반복 피크 역전압

1200

볼트

나 F

다이오드 연속 전면 커 임대료

600

A

나 Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

1200

A

상징

설명

값

단위

T jmax

최대 분기 온도

175

o C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

볼트 ISO

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

4000

볼트

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

나 C=600A,V GE =15V, T j =25o C

1.65

2.00

볼트

나 C=600A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

나 C=600A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

나 C=24.0mA ,볼트 CE =볼트 GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

볼트

나 CES

수집가 절단 -끄다

현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

나 GES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T j =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

0.5

ω

Cies

입력 용량

볼트 CE =25V,f=100kHz, 볼트 GE =0V

60.8

nF

Cres

역전환

용량

1.84

nF

문의 지

게이트 요금

볼트 GE =- 15...+15V

4.64

μC

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=600A, R 지 =1.2Ω,L 초 =20nH, V GE =±15V,T j =25o C

308

nS

t r

상승 시간

42

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

431

nS

t f

하강 시간

268

nS

E켜짐

켜 전환

손실

15.7

mJ

E끄다

그림 전환

손실

51.3

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=600A, R 지 =1.2Ω, L초 =20nH ,

볼트 GE =±15V,T j =125o C

311

nS

t r

상승 시간

49

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

467

nS

t f

하강 시간

351

nS

E켜짐

켜 전환

손실

31.1

mJ

E끄다

그림 전환

손실

69.4

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=600A, R 지 =1.2Ω, L초 =20nH ,

볼트 GE =±15V,T j =150o C

313

nS

t r

상승 시간

51

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

475

nS

t f

하강 시간

365

nS

E켜짐

켜 전환

손실

34.8

mJ

E끄다

그림 전환

손실

71.1

mJ

나 SC

SC 데이터

t P≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, 볼트 CEM ≤1200V

2400

A

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 F

다이오드 앞

전압

나 F =600A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

볼트

나 F =600A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

나 F =600A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

문의 r

회복 전하

볼트 CC =600V,I F =600A,

-di/dt=13040A/μs,V GE =- 15V, T j =25o C

38.1

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

524

A

Erec

역회복 에너지

34.9

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 CC =600V,I F =600A,

-di/dt=11220A/μs,V 지 E=- 15V, T j = 125o C

82.8

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

565

A

Erec

역회복 에너지

54.4

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 CC =600V,I F =600A,

-di/dt=11040A/μs,V 지 E=- 15V, T j = 150o C

94.7

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

589

A

Erec

역회복 에너지

55.8

mJ

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

LCE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 레시스타 칩에 터미널

0.35

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T)

커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.050

0.080

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (p er 다이오드)

케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.033

0.052

0.010

K/W

분

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

지

무게 의 모듈

300

지