간략한 소개
IGBT 모듈 , STARPOWER에서 생산됨. 1200V 400A.
주요 특징
전형적 응용
절대 최대 등급 T C=25℃ 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
설명 |
GD400HFU120C2S |
유닛 |
볼트 CES |
컬렉터-이미터 전압 |
1200 |
볼트 |
볼트 GES |
게이트-이미터 전압 |
±20 |
볼트 |
IC |
콜렉터 전류 @ T C=25℃ @ T C=80℃ |
660 400 |
A |
ICm (1) |
펄스 콜렉터 전류 t p =1ms |
800 |
A |
IF |
다이오드 연속 전류 |
400 |
A |
IFm (1) |
다이오드 최대의 앞회수 임대료 |
800 |
A |
PD |
최대 전력 분산 @ T j = 150℃ |
2660 |
W |
T SC |
단회로 견딜 시간 @ T j =125℃ |
10 |
μs |
T j |
최대 분기 온도 |
150 |
℃ |
T STG |
보관 온도 범위 |
-40에서 +125 |
℃ |
볼트 ISO |
격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1min |
2500 |
볼트 |
장착 모터 |
전원 터미널 나사:M6 |
2.5에서 5.0 |
N.M |
장착 스ikulu:M6 |
3.0에서 6.0 |
N.M |
전기 특성 의 IGBT T C=25℃ 아니면 그렇지 않으면 기재됨
특징이 없네요
상징 |
사양 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
유닛 |
볼트 (BR )CES |
수집자-출출자 피⌂크다운 전압 |
T j =25℃ |
1200 |
|
|
볼트 |
ICES |
수집가 절단 -끄다 현재 |
볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V, T j =25℃ |
|
|
5.0 |
mA |
IGES |
게이트 발사자 누출 현재 |
볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T j =25℃ |
|
|
400 |
부적절함 |
특징 에 관한 것
상징 |
사양 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
유닛 |
볼트 GE (th) |
게이트 발산자 문 전압 |
IC=4.0mA ,볼트 CE =볼트 GE , T j =25℃ |
4.4 |
4.9 |
6.0 |
볼트 |
|
볼트 CE (sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 |
IC=400A,V GE =15V, T j =25℃ |
|
3.10 |
3.60 |
볼트 |
IC=400A,V GE =15V, T j = 125℃ |
|
3.45 |
|
변동 특성
상징 |
사양 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
유닛 |
t d (켜짐 ) |
턴온 지연 시간 |
볼트 CC =600V,I C=400A, R G=2.2Ω,V GE =±15 V, T j =25℃ |
|
680 |
|
nS |
t r |
상승 시간 |
|
142 |
|
nS |
|
t d (끄다 ) |
그림 지연 시간 |
|
638 |
|
nS |
|
t f |
하강 시간 |
|
99 |
|
nS |
|
E켜짐 |
팅 스위치 손실 |
|
19.0 |
|
mJ |
|
E끄다 |
그림 전환 손실 |
|
32.5 |
|
mJ |
|
t d (켜짐 ) |
턴온 지연 시간 |
볼트 CC =600V,I C=400A, R G=2.2Ω,V GE =±15 V, T j = 125℃ |
|
690 |
|
nS |
t r |
상승 시간 |
|
146 |
|
nS |
|
t d (끄다 ) |
그림 지연 시간 |
|
669 |
|
nS |
|
t f |
하강 시간 |
|
108 |
|
nS |
|
E켜짐 |
팅 스위치 손실 |
|
26.1 |
|
mJ |
|
E끄다 |
그림 전환 손실 |
|
36.7 |
|
mJ |
|
Cies |
입력 용량 |
볼트 CE =30V,f=1MHz, 볼트 GE =0V |
|
33.7 |
|
nF |
C소 |
출력 용량 |
|
2.99 |
|
nF |
|
Cres |
역전환 용량 |
|
1.21 |
|
nF |
|
|
ISC |
SC 데이터 |
T P ≤10μs,V GE =15 V, T j =25℃, 볼트 CC =600V, 볼트 CEM ≤1200V |
|
2600 |
|
A |
R Gint |
내부 게이트 저항 저항 |
|
|
0.5 |
|
ω |
LCE |
방랑 인덕턴스 |
|
|
|
18 |
nH |
R CC ’+EE ’ |
모듈 리드 저항 ce, 터미널에서 칩으로 |
T C=25℃ |
|
0.32 |
|
m ω |
전기 특성 의 다이오드 T C=25℃ 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
사양 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
유닛 |
|
볼트 F |
다이오드 앞 전압 |
IF =400A |
T j =25℃ |
|
1.95 |
2.35 |
볼트 |
T j = 125℃ |
|
1.85 |
|
||||
문의 r |
회복 전하 |
IF =400A, 볼트 R =600 V, di/dt=-2850A/μs, 볼트 GE =- 15V |
T j =25℃ |
|
24.1 |
|
μC |
T j = 125℃ |
|
44.3 |
|
||||
IRM |
피크 역전 회복 전류 |
T j =25℃ |
|
220 |
|
A |
|
T j = 125℃ |
|
295 |
|
||||
Erec |
역회복 에너지 |
T j =25℃ |
|
13.9 |
|
mJ |
|
T j = 125℃ |
|
24.8 |
|
||||
열 특성 ics
상징 |
사양 |
전형적인. |
최대. |
유닛 |
R θ JC |
부수 (IG당) BT) |
|
0.047 |
K/W |
R θ JC |
부대와 부대 (D당) 요오드) |
|
0.096 |
K/W |
R θ CS |
케이스-투-심크 (전도성 지방) ) |
0.035 |
|
K/W |
G |
중량 모듈 |
350 |
|
g |
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