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간략한 소개
IGBT 모듈 , STARPOWER에서 생산됨. 1200V 400A.
기능
전형적 응용
절대 최대 등급 T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
| 상징 | 설명 | GD400HFU120C2S | 유닛 | 
| V CES | 컬렉터-이미터 전압 | 1200 | V | 
| V GES | 게이트-이미터 전압 | ± 20 | V | 
| I C | 콜렉터 전류 @ T C = 25°C @ T C =80 °C | 660 400 | A | 
| I 센티미터 (1) | 펄스 콜렉터 전류 t p =1ms | 800 | A | 
| I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 | 다이오드 연속 전류 | 400 | A | 
| I Fm (1) | 다이오드 최대의 앞회수 임대료 | 800 | A | 
| P D | 최대 전력 분산 @ T j = 150°C | 2660 | W | 
| T SC | 단회로 견딜 시간 @ T j =125 °C | 10 | μs | 
| T j | 최대 분기 온도 | 150 | °C | 
| T STG | 보관 온도 범위 | -40에서 +125 | °C | 
| V Iso | 격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1min | 2500 | V | 
| 장착 모터 | 전원 터미널 나사:M6 | 2.5에서 5.0 | N.M | 
| 장착 스ikulu:M6 | 3.0에서 6.0 | N.M | 
전기적 특성 of IGBT T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
특징이 없네요
| 상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | 유닛 | 
| V (BR )CES | 수집자-출출자 피⌂크다운 전압 | T j =25 °C | 1200 | 
 | 
 | V | 
| I CES | 수집가 절단 -끄다 전류 | V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 °C | 
 | 
 | 5.0 | mA | 
| I GES | 게이트 발사자 누출 전류 | V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 °C | 
 | 
 | 400 | 부적절함 | 
특징 에 관한 것
| 상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | 유닛 | 
| V GE (번째 ) | 게이트 발산자 문 전압 | I C =4.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 °C | 4.4 | 4.9 | 6.0 | V | 
| 
 
 V CE (sat) | 
 수집자로부터 발산자 포화전압 | I C =400A,V GE =15V, T j =25 °C | 
 | 3.10 | 3.60 | 
 
 V | 
| I C =400A,V GE =15V, T j = 125°C | 
 | 3.45 | 
 | 
변동 특성
| 상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | 유닛 | 
| t d (에 ) | 턴온 지연 시간 | 
 
 
 V CC =600V,I C =400A, R G =2.2Ω,V GE = ± 15 V, T j =25 °C | 
 | 680 | 
 | nS | 
| t r | 상승 시간 | 
 | 142 | 
 | nS | |
| t d (끄다 ) | 그림 지연 시간 | 
 | 638 | 
 | nS | |
| t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 | 하강 시간 | 
 | 99 | 
 | nS | |
| E 에 | 팅 스위치 손실 | 
 | 19.0 | 
 | mJ | |
| E 끄다 | 그림 전환 손실 | 
 | 32.5 | 
 | mJ | |
| t d (에 ) | 턴온 지연 시간 | 
 
 
 V CC =600V,I C =400A, R G =2.2Ω,V GE = ± 15 V, T j = 125°C | 
 | 690 | 
 | nS | 
| t r | 상승 시간 | 
 | 146 | 
 | nS | |
| t d (끄다 ) | 그림 지연 시간 | 
 | 669 | 
 | nS | |
| t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 | 하강 시간 | 
 | 108 | 
 | nS | |
| E 에 | 팅 스위치 손실 | 
 | 26.1 | 
 | mJ | |
| E 끄다 | 그림 전환 손실 | 
 | 36.7 | 
 | mJ | |
| C ies | 입력 용량 | 
 V CE =30V,f=1MHz, V GE =0V | 
 | 33.7 | 
 | nF | 
| C 소 | 출력 용량 | 
 | 2.99 | 
 | nF | |
| C res | 역전환 용량 | 
 | 1.21 | 
 | nF | |
| 
 I SC | 
 SC 데이터 | T P ≤ 10μs,V GE =15 V, T j =25 °C , V CC =600V, V CEM ≤ 1200V | 
 | 
 2600 | 
 | 
 A | 
| R Gint | 내부 게이트 저항 저항 | 
 | 
 | 0.5 | 
 | ω | 
| L CE | 방랑 인덕턴스 | 
 | 
 | 
 | 18 | nH | 
| R CC + EE ’ | 모듈 리드 저항 ce, 터미널에서 칩으로 | T C =25 °C | 
 | 0.32 | 
 | m ω | 
전기적 특성 of 다이오드 T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
| 상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | 유닛 | |
| V 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 | 다이오드 앞 전압 | I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =400A | T j =25 °C | 
 | 1.95 | 2.35 | V | 
| T j = 125°C | 
 | 1.85 | 
 | ||||
| Q r | 회복 전하 | 
 I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =400A, V R =600 V, di/dt=-2850A/μs, V GE =- 15V | T j =25 °C | 
 | 24.1 | 
 | μC | 
| T j = 125°C | 
 | 44.3 | 
 | ||||
| I RM | 피크 역전 회복 전류 | T j =25 °C | 
 | 220 | 
 | A | |
| T j = 125°C | 
 | 295 | 
 | ||||
| E rec | 역회복 에너지 | T j =25 °C | 
 | 13.9 | 
 | mJ | |
| T j = 125°C | 
 | 24.8 | 
 | ||||
열 특성 ics
| 상징 | 매개변수 | 전형적인. | 최대. | 유닛 | 
| R θ JC | 부수 (IG당) BT) | 
 | 0.047 | K/W | 
| R θ JC | 부대와 부대 (D당) 요오드) | 
 | 0.096 | K/W | 
| R θ CS | 케이스-투-심크 (전도성 지방) ) | 0.035 | 
 | K/W | 
| G | 무게 모듈 | 350 | 
 | g | 


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