IGBT 모듈, GD1000HFA75N5HT 스타파워

상징

설명

가치

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

750

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

±20

볼트

ICN

구현된 집합기 Cu 임대료

1000

A

IC

수집가 현재 T vj =175o C

680

A

ICm

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

1360

A

PD

최대 전력 소산 이온 @ T F =75o C T vj =175o C

1086

W

상징

설명

가치

단위

볼트 RRM

반복적 피크 역전압 연령

750

볼트

IFN

구현된 집합기 Cu 임대료

1000

A

IF

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

680

A

IFm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

1360

A

상징

설명

값

단위

T vjmax

최대 분기 온도

175

o C

T vjop

작동 환절 온도 연속

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

볼트 ISO

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

2500

볼트

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

IC=680A,V GE =15V, T vj =25o C

1.25

1.50

볼트

IC=680A,V GE =15V, T vj =150o C

1.35

IC=680A,V GE =15V, T vj =175o C

1.40

IC=1000A,V GE =15V, T vj =25o C

1.45

IC=1000A,V GE =15V, T vj =175o C

1.70

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

IC=9.60mA ,볼트 CE =볼트 GE , T vj =25o C

5.5

6.5

7.0

볼트

IC=9.60mA ,볼트 CE =볼트 GE , T vj =175o C

3.5

ICES

수집가 절단 -끄다 현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T vj =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

1.0

ω

Cies

입력 용량

볼트 CE =50V,f=100kHz, 볼트 GE =0V

72.3

nF

C소

출력 용량

1.51

nF

Cres

역전환 용량

0.32

nF

QG

게이트 요금

볼트 CE =400V, IC=680A, 볼트 GE =-10…+15V

4.10

μC

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =400V, I C=680A, R G=0.22Ω, L초 =16nH ,볼트 GE =-10V/+15V,

T vj =25o C

196

nS

t r

상승 시간

50

nS

t d(off)

그림 지연 시간

407

nS

t f

하강 시간

125

nS

E켜짐

켜 전환 손실

11.1

mJ

E끄다

그림 전환 손실

29.1

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =400V, I C=680A, R G=0.22Ω, L초 =16nH ,볼트 GE =-10V/+15V,

T vj =150o C

222

nS

t r

상승 시간

63

nS

t d(off)

그림 지연 시간

471

nS

t f

하강 시간

178

nS

E켜짐

켜 전환 손실

19.7

mJ

E끄다

그림 전환 손실

37.4

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =400V, I C=680A, R G=0.22Ω, L초 =16nH ,볼트 GE =-10V/+15V,

T vj =175o C

224

nS

t r

상승 시간

68

nS

t d(off)

그림 지연 시간

490

nS

t f

하강 시간

194

nS

E켜짐

켜 전환 손실

21.7

mJ

E끄다

그림 전환 손실

39.5

mJ

ISC

SC 데이터

t P≤6μs,V GE =15V,

4000

A

T vj =25o C,V CC =450V, 볼트 CEM ≤750V

t P≤3μs,V GE =15V,

T vj =175o C,V CC =450V, 볼트 CEM ≤750V

3300

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 F

다이오드 앞 전압

IF =680A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

볼트

IF =680A,V GE =0V,T vj =150o C

1.60

IF =680A,V GE =0V,T vj =175o C

1.55

IF =1000A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

IF =1000A,V GE =0V,T vj =175o C

1.75

Qr

회복 전하

볼트 R =400V, I F =680A,

-di/dt=15030A/μs,V GE =-10V, L초 =16nH ,T vj =25o C

19.9

μC

IRM

피크 역전

회복 전류

458

A

Erec

역회복 에너지

6.10

mJ

Qr

회복 전하

볼트 R =400V, I F =680A,

-di/dt=12360A/μs,V GE =-10V, L초 =16nH ,T vj =150o C

29.7

μC

IRM

피크 역전

회복 전류

504

A

Erec

역회복 에너지

9.70

mJ

Qr

회복 전하

볼트 R =400V, I F =680A,

-di/dt=11740A/μs,V GE =-10V, L초 =16nH ,T vj =175o C

34.5

μC

IRM

피크 역전

회복 전류

526

A

Erec

역회복 에너지

11.0

mJ

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

R

명목상 저항성

T C=0 o C

T C=150 o C

1000

1573

ω ω

T Cr

온도 계수 nt

0.38

%/K

T SH

자기 가열

T C=0 o C

I분 =0.1...0.3mA

0.4

K/mW

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

LCE

방랑 인덕턴스

5

nH

p

냉각회로에서 최대 압력 쿠잇

2.5

봉재

R thJF

교차점 -~까지 -냉각 액체로 세척하세요 (perIGBT )접합부-냉각 유체 (D당) 요오드) △V/ △t=8.0 dm 3/분 ,T F =65o C

0.080 0.115

K/W

분

단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 스크루브 M5

5.4 5.4

6.6 6.6

N.M

G

무게 의 모듈

220

g