IGBT 모듈, GD1000HFA75N5HT 스타파워

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

750

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I CN

구현된 집합기 Cu 임대료

1000

A

I C

수집가 전류 T vj =175 o C

680

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

1360

A

P D

최대 전력 소산 이온 @ T 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =75 o C T vj =175 o C

1086

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

750

V

I FN

구현된 집합기 Cu 임대료

1000

A

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

680

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

1360

A

상징

설명

값

UNIT

T vjmax

최대 분기 온도

175

o C

T vjop

작동 환절 온도 연속

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

V Iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

2500

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =680A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.25

1.50

V

I C =680A,V GE =15V, T vj =150 o C

1.35

I C =680A,V GE =15V, T vj =175 o C

1.40

I C =1000A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.45

I C =1000A,V GE =15V, T vj =175 o C

1.70

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =9.60 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.5

6.5

7.0

V

I C =9.60 mA ,V CE = V GE , T vj =175 o C

3.5

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

1.0

ω

C ies

입력 용량

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

72.3

nF

C 소

출력 용량

1.51

nF

C res

역전환 용량

0.32

nF

Q G

게이트 요금

V CE =400V, I C =680A, V GE =-10…+15V

4.10

μC

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =400V, I C =680A, R G =0.22Ω, L S =16 nH , V GE =-10V/+15V,

T vj =25 o C

196

nS

t r

상승 시간

50

nS

t d(off)

그림 지연 시간

407

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

125

nS

E 에

켜 Switching 손실

11.1

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

29.1

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =400V, I C =680A, R G =0.22Ω, L S =16 nH , V GE =-10V/+15V,

T vj =150 o C

222

nS

t r

상승 시간

63

nS

t d(off)

그림 지연 시간

471

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

178

nS

E 에

켜 Switching 손실

19.7

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

37.4

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =400V, I C =680A, R G =0.22Ω, L S =16 nH , V GE =-10V/+15V,

T vj =175 o C

224

nS

t r

상승 시간

68

nS

t d(off)

그림 지연 시간

490

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

194

nS

E 에

켜 Switching 손실

21.7

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

39.5

mJ

I SC

SC 데이터

t P ≤6μs,V GE =15V,

4000

A

T vj =25 o C,V CC =450V, V CEM ≤750V

t P ≤3μs,V GE =15V,

T vj =175 o C,V CC =450V, V CEM ≤750V

3300

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 앞 전압

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =680A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.60

2.05

V

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =680A,V GE =0V,T vj =150 o C

1.60

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =680A,V GE =0V,T vj =175 o C

1.55

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =1000A,V GE =0V,T vj =25 o C

1.80

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =1000A,V GE =0V,T vj =175 o C

1.75

Q r

회복 전하

V R =400V, I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =680A,

-di/dt=15030A/μs,V GE =-10V, L S =16 nH ,T vj =25 o C

19.9

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

458

A

E rec

역회복 에너지

6.10

mJ

Q r

회복 전하

V R =400V, I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =680A,

-di/dt=12360A/μs,V GE =-10V, L S =16 nH ,T vj =150 o C

29.7

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

504

A

E rec

역회복 에너지

9.70

mJ

Q r

회복 전하

V R =400V, I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =680A,

-di/dt=11740A/μs,V GE =- 10V, L S =16 nH ,T vj =175 o C

34.5

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

526

A

E rec

역회복 에너지

11.0

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R

공칭 저항

T C =0 o C

T C =150 o C

1000

1573

ω ω

T Cr

온도 계수 nt

0.38

%/K

T SH

자기 가열

T C =0 o C

I m =0.1...0.3mA

0.4

K/mW

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

5

nH

p

냉각회로에서 최대 압력 쿠잇

2.5

바

R thJF

교차점 -~까지 -냉각 액체로 세척하세요 (perIGBT )접합부-냉각 유체 (D당) 요오드) △ V/ △ t=8.0 dm 3/분 ,T 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =65 o C

0.080 0.115

K/W

M

단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 스크루브 M5

5.4 5.4

6.6 6.6

N.M

G

무게 of 모듈

220

g