GD1200SGX170A3S, 1700V 1200A, IGBT 모듈,

상징

설명

값

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

1700

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

±20

볼트

나 C

콜렉터 전류 @ T C=25o C @ T C=100o C

2206

1200

A

나 Cm

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

2400

A

PD

최대 전력 분산 @ T j =175o C

8.77

KW

상징

설명

값

단위

볼트 RRM

반복적 피크 역전압 연령

1700

볼트

나 F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

1200

A

나 Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

2400

A

상징

설명

값

단위

T jmax

최대 분기 온도

175

o C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

볼트 ISO

격리 전압 RMS,f=50Hz,t= 1분

4000

볼트

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

나 C=1200A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

볼트

나 C=1200A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

나 C=1200A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

나 C=48.0mA ,볼트 CE =볼트 GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

볼트

나 CES

수집가 절단 -끄다 현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

나 GES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T j =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

1.0

ω

Cies

입력 용량

볼트 CE =25V,f=1Mhz, 볼트 GE =0V

145

nF

Cres

역전환 용량

3.51

nF

문의 지

게이트 요금

볼트 GE =-15 ...+15V

11.3

μC

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =900V,I C=1200A, R 지 =1.0Ω,

볼트 GE =-9/+15V,

L초 =65nH ,T j =25o C

440

nS

t r

상승 시간

112

nS

t d(off)

그림 지연 시간

1200

nS

t f

하강 시간

317

nS

E켜짐

켜 전환 손실

271

mJ

E끄다

그림 전환 손실

295

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =900V,I C=1200A, R 지 =1.0Ω,

볼트 GE =-9/+15V,

L초 =65nH ,T j =125o C

542

nS

t r

상승 시간

153

nS

t d(off)

그림 지연 시간

1657

nS

t f

하강 시간

385

nS

E켜짐

켜 전환 손실

513

mJ

E끄다

그림 전환 손실

347

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =900V,I C=1200A, R 지 =1.0Ω,

볼트 GE =-9/+15V,

L초 =65nH ,T j =150o C

547

nS

t r

상승 시간

165

nS

t d(off)

그림 지연 시간

1695

nS

t f

하강 시간

407

nS

E켜짐

켜 전환 손실

573

mJ

E끄다

그림 전환 손실

389

mJ

나 SC

SC 데이터

t P≤10μs, 볼트 GE =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, 볼트 CEM ≤1700V

4800

A

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 F

다이오드 앞 전압

나 F =1200A,V GE =0V, t j =25℃

1.80

2.25

볼트

나 F =1200A,V GE =0V, t j =125℃

1.90

나 F =1200A,V GE =0V, t j =150℃

1.95

문의 r

회복 전하

볼트 CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=10500A/μs,V GE =-9V, L초 =65nH,T j =25℃

190

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

844

A

Erec

역회복 에너지

192

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=7050A/μs,V GE =-9V, L초 =65nH,T j =125℃

327

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

1094

A

Erec

역회복 에너지

263

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=6330A/μs,V GE =-9V, L초 =65nH,T j =150℃

368

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

1111

A

Erec

역회복 에너지

275

mJ

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

LCE

방랑 인덕턴스

12

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.19

mΩ

R thJC

교차점 -~까지 -사례 (perIGBT ) 부대와 부대 (D당) 요오드)

17.1 26.2

K/kW

R thCH

사례 -~까지 -열기 (perIGBT )케이스-히트싱크 (p er 다이오드) 케이스-히트싱크 (per 모듈)

9.9 15.2 6.0

K/kW

분

전원 단자 나사:M4 전원 단자 나사:M8 장착 나사:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

N.M

지

무게 의 모듈

1050

지