GD900HFX120P1SA, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

가치

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

1200

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

±20

볼트

나 C

콜렉터 전류 @ T C=25o C

@ T C= 100o C

1522

900

A

나 Cm

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

1800

A

PD

최대 전력 분산 @ T j =175o C

5.24

kW

상징

설명

가치

단위

볼트 RRM

반복 피크 역전압

1200

볼트

나 F

다이오드 연속 전면 커 임대료

900

A

나 Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

1800

A

상징

설명

값

단위

T jmax

최대 분기 온도

175

o C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

볼트 ISO

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

4000

볼트

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

나 C=900A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

볼트

나 C=900A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

나 C=900A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

나 C=22.5mA ,볼트 CE =볼트 GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

볼트

나 CES

수집가 절단 -끄다

현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

나 GES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T j =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

0.63

ω

Cies

입력 용량

볼트 CE =25V,f=1Mhz,

볼트 GE =0V

93.2

nF

Cres

역전환

용량

2.61

nF

문의 지

게이트 요금

볼트 GE =-15 ﹍+15V

6.99

μC

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=900A, R 지 =1.6Ω,

볼트 GE =±15V, T j =25o C

214

nS

t r

상승 시간

150

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

721

nS

t f

하강 시간

206

nS

E켜짐

켜 전환

손실

76

mJ

E끄다

그림 전환

손실

128

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=900A, R 지 =1.6Ω,

볼트 GE =±15V, T j =125o C

235

nS

t r

상승 시간

161

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

824

nS

t f

하강 시간

412

nS

E켜짐

켜 전환

손실

107

mJ

E끄다

그림 전환

손실

165

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=900A, R 지 =1.6Ω,

볼트 GE =±15V, T j =150o C

235

nS

t r

상승 시간

161

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

876

nS

t f

하강 시간

464

nS

E켜짐

켜 전환

손실

112

mJ

E끄다

그림 전환

손실

180

mJ

나 SC

SC 데이터

t P≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC =900V, 볼트 CEM ≤1200V

3600

A

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 F

다이오드 앞

전압

나 F =900A,V GE =0V,T j =25o C

1.90

2.25

볼트

나 F =900A,V GE =0V,T j = 125o C

1.85

나 F =900A,V GE =0V,T j = 150o C

1.80

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V T j =25o C

86

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

475

A

Erec

역회복 에너지

36.1

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V T j = 125o C

143

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

618

A

Erec

역회복 에너지

71.3

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V T j = 150o C

185

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

665

A

Erec

역회복 에너지

75.1

mJ

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

δR/R

오차 의 R 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/501/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/801/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/1001/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

LCE

방랑 인덕턴스

18

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.30

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T)

부대와 부대 (D당) 요오드)

28.6

51.9

K/kW

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (p er 다이오드)

케이스-히트싱크 (per 모듈)

14.0

25.3

4.5

K/kW

분

단자 연결 토크, 나사 M4 Terminal Connection 토크, 스크루브 M8 장착 토크, 스크루브 M5

1.8

8.0

3.0

2.1

10

6.0

N.M

지

무게 의 모듈

825

지