GD800HFA120C6SD, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =100 o C

800

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

1600

A

전 D

최대 전력 분산 @ T vj =175 o C

4687

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

900

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

1800

A

I FSM

서지 전류 t 전 =10ms @ T vj =12 5o C @ T vj =175 o C

2392

2448

A

I 2t

I 2t- 가치 ,t 전 =10 ms @ T vj =125 o C @ T vj =175 o C

28608

29964

A 2s

상징

설명

가치

UNIT

T vjmax

최대 분기 온도

175

o C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

V Iso

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

2500

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =800A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.40

1.85

V

I C =800A,V GE =15V, T vj =125 o C

1.60

I C =800A,V GE =15V, T vj =175 o C

1.60

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =24.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.5

6.3

7.0

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

0.5

ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

28.4

nF

C res

역전환 용량

0.15

nF

Q G

게이트 요금

V GE =-15...+15V

2.05

μC

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =800A, R G =0.5Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V

T vj =25 o C

168

nS

t r

상승 시간

78

nS

t d(off)

그림 지연 시간

428

nS

t f

하강 시간

123

nS

이 에

켜 Switching 손실

43.4

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

77.0

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =800A,

R G =0.5Ω, L S =40nH,

V GE =-8V/+15V

T vj =125 o C

172

nS

t r

상승 시간

84

nS

t d(off)

그림 지연 시간

502

nS

t f

하강 시간

206

nS

이 에

켜 Switching 손실

86.3

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

99.1

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =800A,

R G =0.5Ω, L S =40nH,

V GE =-8V/+15V

T vj =175 o C

174

nS

t r

상승 시간

90

nS

t d(off)

그림 지연 시간

531

nS

t f

하강 시간

257

nS

이 에

켜 Switching 손실

99.8

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

105

mJ

I SC

SC 데이터

t 전 ≤8μs, V GE =15V,

T vj =150 o C,

V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

t 전 ≤6μs, V GE =15V,

T vj =175 o C,

V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

2500

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞 전압

I F =900A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.60

2.00

V

I F =900A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.60

I F =900A,V GE =0V,T vj =175 o C

1.50

Q r

회복 전하

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=7778A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,T vj =25 o C

47.7

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

400

A

이 rec

역회복 에너지

13.6

mJ

Q r

회복 전하

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=7017A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,T vj =125 o C

82.7

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

401

A

이 rec

역회복 에너지

26.5

mJ

Q r

회복 전하

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=6380A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,T vj =175 o C

110

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

413

A

이 rec

역회복 에너지

34.8

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 of R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

전 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K