GD800HFA120C6SD, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

가치

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

1200

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

±20

볼트

나 C

콜렉터 전류 @ T C=100o C

800

A

나 Cm

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

1600

A

PD

최대 전력 분산 @ T vj =175o C

4687

W

상징

설명

가치

단위

볼트 RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

볼트

나 F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

900

A

나 Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

1800

A

나 FSM

서지 전류 t p =10ms @ T vj =125o C @ T vj =175o C

2392

2448

A

나 2t

나 2t- 값 ,t p =10ms @ T vj =125o C@ T vj =175o C

28608

29964

A2초

상징

설명

값

단위

T vjmax

최대 분기 온도

175

o C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

볼트 ISO

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

2500

볼트

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

나 C=800A,V GE =15V, T vj =25o C

1.40

1.85

볼트

나 C=800A,V GE =15V, T vj =125o C

1.60

나 C=800A,V GE =15V, T vj =175o C

1.60

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

나 C=24.0mA ,볼트 CE =볼트 GE , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

볼트

나 CES

수집가 절단 -끄다 현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

나 GES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T vj =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

0.5

ω

Cies

입력 용량

볼트 CE =25V,f=100kHz, 볼트 GE =0V

28.4

nF

Cres

역전환 용량

0.15

nF

문의 지

게이트 요금

볼트 GE =-15...+15V

2.05

μC

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=800A, R 지 =0.5Ω, L 초 =40nH, 볼트 GE =-8V/+15V

T vj =25o C

168

nS

t r

상승 시간

78

nS

t d(off)

그림 지연 시간

428

nS

t f

하강 시간

123

nS

E켜짐

켜 전환 손실

43.4

mJ

E끄다

그림 전환 손실

77.0

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=800A,

R 지 =0.5Ω, L 초 =40nH,

볼트 GE =-8V/+15V

T vj =125o C

172

nS

t r

상승 시간

84

nS

t d(off)

그림 지연 시간

502

nS

t f

하강 시간

206

nS

E켜짐

켜 전환 손실

86.3

mJ

E끄다

그림 전환 손실

99.1

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=800A,

R 지 =0.5Ω, L 초 =40nH,

볼트 GE =-8V/+15V

T vj =175o C

174

nS

t r

상승 시간

90

nS

t d(off)

그림 지연 시간

531

nS

t f

하강 시간

257

nS

E켜짐

켜 전환 손실

99.8

mJ

E끄다

그림 전환 손실

105

mJ

나 SC

SC 데이터

t P≤8μs, 볼트 GE =15V,

T vj =150o C,

볼트 CC =800V, 볼트 CEM ≤1200V

2600

A

t P≤6μs, 볼트 GE =15V,

T vj =175o C,

볼트 CC =800V, 볼트 CEM ≤1200V

2500

A

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

볼트 F

다이오드 앞 전압

나 F =900A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.00

볼트

나 F =900A,V GE =0V,T vj =125o C

1.60

나 F =900A,V GE =0V,T vj =175o C

1.50

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =800A,

-di/dt=7778A/μs,V GE =-8V, L초 =40nH ,T vj =25o C

47.7

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

400

A

Erec

역회복 에너지

13.6

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =800A,

-di/dt=7017A/μs,V GE =-8V, L초 =40nH ,T vj =125o C

82.7

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

401

A

Erec

역회복 에너지

26.5

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =800A,

-di/dt=6380A/μs,V GE =-8V, L초 =40nH ,T vj =175o C

110

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

413

A

Erec

역회복 에너지

34.8

mJ

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 의 R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K