GD800HFA120C2S_B20 ,IGBT 모듈,STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

일시적인 게이트-에미터 전압

±20 ±30

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 o C @ T C =95 o C

1280

800

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

1600

A

전 D

최대 전력 분산 @ T vj =175 o C

3191

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I F

다이오드 연속 전방 전류 엔트

800

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

1600

A

상징

설명

가치

UNIT

T vjmax

최대 분기 온도

175

o C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +175

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

V Iso

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =800A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.30

1.75

V

I C =800A,V GE =15V, T vj =125 o C

1.45

I C =800A,V GE =15V, T vj =150 o C

1.50

I C =800A,V GE =15V, T vj =175 o C

1.55

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =32.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.5

6.1

7.0

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

0.38

ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

156

nF

C res

역전환 용량

1.10

nF

Q G

게이트 요금

V GE =-8...+15V

10.3

μC

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =800A, R G =1.2Ω,

V GE =-8V/+15V T vj =25 o C

338

nS

t r

상승 시간

174

nS

t d(off)

그림 지연 시간

1020

nS

t f

하강 시간

100

nS

이 에

켜 Switching 손실

65.2

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

88.8

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =800A, R G =1.2Ω,

V GE =-8V/+15V T vj =125 o C

398

nS

t r

상승 시간

203

nS

t d(off)

그림 지연 시간

1140

nS

t f

하강 시간

183

nS

이 에

켜 Switching 손실

96.6

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

109

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =800A, R G =1.2Ω,

V GE =-8V/+15V T vj =150 o C

413

nS

t r

상승 시간

213

nS

t d(off)

그림 지연 시간

1140

nS

t f

하강 시간

195

nS

이 에

켜 Switching 손실

105

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

113

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =800A, R G =1.2Ω,

V GE =-8V/+15V T vj =175 o C

419

nS

t r

상승 시간

223

nS

t d(off)

그림 지연 시간

1142

nS

t f

하강 시간

205

nS

이 에

켜 Switching 손실

110

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

115

mJ

I SC

SC 데이터

t 전 ≤8μs, V GE =15V,

T vj =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3300

A

I SC

SC 데이터

t 전 ≤6μs, V GE =15V,

T vj =175 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3000

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F =800A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

I F =800A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.85

I F =800A,V GE =0V,T vj =150 o C

1.85

I F =800A,V GE =0V,T vj =175 o C

1.85

Q r

회복 전하

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=5510A/μs,V GE =-8V, T vj =25 o C

28.6

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

311

A

이 rec

역회복 에너지

13.9

mJ

Q r

회복 전하

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=4990A/μs,V GE =-8V, T vj =125 o C

56.8

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

378

A

이 rec

역회복 에너지

23.7

mJ

Q r

회복 전하

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=4860A/μs,V GE =-8V, T vj =150 o C

66.3

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

395

A

이 rec

역회복 에너지

26.7

mJ

Q r

회복 전하

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=4790A/μs,V GE =-8V, T vj =175 o C

72.1

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

403

A

이 rec

역회복 에너지

28.6

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.42

mΩ

R thJC

교차점 -에 -사례 (perIGBT ) 부대와 부대 (D당) 요오드)

0.047 0.083

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.031 0.055 0.010

K/W

M

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

무게 of 모듈

320

g