GD800HFA120C2S_B20 ,IGBT 모듈,STARPOWER

상징

설명

값

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

1200

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

일시적인 게이트-에미터 전압

±20 ±30

볼트

나 C

콜렉터 전류 @ T C=25o C@ T C=95o C

1280

800

A

나 Cm

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

1600

A

PD

최대 전력 분산 @ T vj =175o C

3191

W

상징

설명

값

단위

볼트 RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

볼트

나 F

다이오드 연속 전방 전류 엔트

800

A

나 Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

1600

A

상징

설명

값

단위

T vjmax

최대 분기 온도

175

o C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +175

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

볼트 ISO

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

4000

볼트

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

나 C=800A,V GE =15V, T vj =25o C

1.30

1.75

볼트

나 C=800A,V GE =15V, T vj =125o C

1.45

나 C=800A,V GE =15V, T vj =150o C

1.50

나 C=800A,V GE =15V, T vj =175o C

1.55

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

나 C=32.0mA ,볼트 CE =볼트 GE , T vj =25o C

5.5

6.1

7.0

볼트

나 CES

수집가 절단 -끄다 현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

나 GES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T vj =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

0.38

ω

Cies

입력 용량

볼트 CE =25V,f=100kHz, 볼트 GE =0V

156

nF

Cres

역전환 용량

1.10

nF

문의 지

게이트 요금

볼트 GE =-8...+15V

10.3

μC

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=800A, R 지 =1.2Ω,

볼트 GE =-8V/+15V T vj =25o C

338

nS

t r

상승 시간

174

nS

t d(off)

그림 지연 시간

1020

nS

t f

하강 시간

100

nS

E켜짐

켜 전환 손실

65.2

mJ

E끄다

그림 전환 손실

88.8

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=800A, R 지 =1.2Ω,

볼트 GE =-8V/+15V T vj =125o C

398

nS

t r

상승 시간

203

nS

t d(off)

그림 지연 시간

1140

nS

t f

하강 시간

183

nS

E켜짐

켜 전환 손실

96.6

mJ

E끄다

그림 전환 손실

109

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=800A, R 지 =1.2Ω,

볼트 GE =-8V/+15V T vj =150o C

413

nS

t r

상승 시간

213

nS

t d(off)

그림 지연 시간

1140

nS

t f

하강 시간

195

nS

E켜짐

켜 전환 손실

105

mJ

E끄다

그림 전환 손실

113

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=800A, R 지 =1.2Ω,

볼트 GE =-8V/+15V T vj =175o C

419

nS

t r

상승 시간

223

nS

t d(off)

그림 지연 시간

1142

nS

t f

하강 시간

205

nS

E켜짐

켜 전환 손실

110

mJ

E끄다

그림 전환

손실

115

mJ

나 SC

SC 데이터

t P≤8μs, 볼트 GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, 볼트 CEM ≤1200V

3300

A

나 SC

SC 데이터

t P≤6μs, 볼트 GE =15V,

T vj =175o C,V CC =800V, 볼트 CEM ≤1200V

3000

A

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 F

다이오드 앞 전압

나 F =800A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

볼트

나 F =800A,V GE =0V,T vj =125o C

1.85

나 F =800A,V GE =0V,T vj =150o C

1.85

나 F =800A,V GE =0V,T vj =175o C

1.85

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =800A,

-di/dt=5510A/μs,V GE =-8V, T vj =25o C

28.6

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

311

A

Erec

역회복 에너지

13.9

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =800A,

-di/dt=4990A/μs,V GE =-8V, T vj =125o C

56.8

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

378

A

Erec

역회복 에너지

23.7

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =800A,

-di/dt=4860A/μs,V GE =-8V, T vj =150o C

66.3

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

395

A

Erec

역회복 에너지

26.7

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =800A,

-di/dt=4790A/μs,V GE =-8V, T vj =175o C

72.1

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

403

A

Erec

역회복 에너지

28.6

mJ

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

LCE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.42

mΩ

R thJC

교차점 -~까지 -사례 (perIGBT ) 부대와 부대 (D당) 요오드)

0.047 0.083

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.031 0.055 0.010

K/W

분

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

지

무게 의 모듈

320

지