GD750HFA120C6S,IGBT 모듈,STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =100 o C

750

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

1500

A

P D

최대 전력 분산 @ T vj =175 o C

3125

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

900

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

1500

A

I FSM

서지 전류 t p =10ms @ T vj = 25o C @ T vj =150 o C

3104

2472

A

I 2t

I 2t- 값 ,t p =10 ms @ T vj =25 o C @ T vj =150 o C

48174

30554

A 2s

상징

설명

값

UNIT

T vjmax

최대 분기 온도

175

o C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

V Iso

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =750A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.35

1.85

V

I C =750A,V GE =15V, T vj =125 o C

1.55

I C =750A,V GE =15V, T vj =175 o C

1.55

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =24.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.5

6.3

7.0

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

0.5

ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

85.2

nF

C res

역전환 용량

0.45

nF

Q G

게이트 요금

V GE =-15...+15V

6.15

μC

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =750A,

R G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V

L S =40 nH ,T vj =25 o C

238

nS

t r

상승 시간

76

nS

t d(off)

그림 지연 시간

622

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

74

nS

E 에

켜 Switching 손실

68.0

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

52.8

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =750A, R G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V

L S =40 nH ,T vj =125 o C

266

nS

t r

상승 시간

89

nS

t d(off)

그림 지연 시간

685

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

139

nS

E 에

켜 Switching 손실

88.9

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

67.4

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =750A, R G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V

L S =40 nH ,T vj =175 o C

280

nS

t r

상승 시간

95

nS

t d(off)

그림 지연 시간

715

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

166

nS

E 에

켜 Switching 손실

102

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

72.7

mJ

I SC

SC 데이터

t P ≤8μs, V GE =15V,

T vj =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2500

A

t P ≤6μs, V GE =15V,

T vj =175 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 앞 전압

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =750A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.60

2.05

V

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =750A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.65

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =750A,V GE =0V,T vj =175 o C

1.65

Q r

회복 전하

V R =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =750A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,T vj =25 o C

79.7

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

369

A

E rec

역회복 에너지

23.3

mJ

Q r

회복 전하

V R =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =750A,

-di/dt=5600A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,T vj =125 o C

120

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

400

A

E rec

역회복 에너지

39.5

mJ

Q r

회복 전하

V R =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =750A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,T vj =175 o C

151

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

423

A

E rec

역회복 에너지

49.7

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 of R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.80

mΩ

R thJC

교차점 -~까지 -사례 (perIGBT ) 부대와 부대 (D당) 요오드)

0.048 0.088

K/W

R thCH

사례 -~까지 -열기 (perIGBT )케이스-히트싱크 (p er 다이오드) 케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.028 0.051 0.009

K/W

M

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 스크루브 M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

무게 of 모듈

350

g