GD750HFA120C6S,IGBT 모듈,STARPOWER

상징

설명

가치

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

1200

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

±20

볼트

나 C

콜렉터 전류 @ T C=100o C

750

A

나 Cm

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

1500

A

PD

최대 전력 분산 @ T vj =175o C

3125

W

상징

설명

가치

단위

볼트 RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

볼트

나 F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

900

A

나 Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

1500

A

나 FSM

서지 전류 t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

3104

2472

A

나 2t

나 2t- 값 ,t p =10ms @ T vj =25o C@ T vj =150o C

48174

30554

A2초

상징

설명

값

단위

T vjmax

최대 분기 온도

175

o C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

볼트 ISO

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

4000

볼트

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

나 C=750A,V GE =15V, T vj =25o C

1.35

1.85

볼트

나 C=750A,V GE =15V, T vj =125o C

1.55

나 C=750A,V GE =15V, T vj =175o C

1.55

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

나 C=24.0mA ,볼트 CE =볼트 GE , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

볼트

나 CES

수집가 절단 -끄다 현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

나 GES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T vj =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

0.5

ω

Cies

입력 용량

볼트 CE =25V,f=100kHz, 볼트 GE =0V

85.2

nF

Cres

역전환 용량

0.45

nF

문의 지

게이트 요금

볼트 GE =-15...+15V

6.15

μC

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=750A,

R 지 =0.5Ω,

볼트 GE =-8V/+15V

L초 =40nH ,T vj =25o C

238

nS

t r

상승 시간

76

nS

t d(off)

그림 지연 시간

622

nS

t f

하강 시간

74

nS

E켜짐

켜 전환 손실

68.0

mJ

E끄다

그림 전환 손실

52.8

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=750A, R 지 =0.5Ω,

볼트 GE =-8V/+15V

L초 =40nH ,T vj =125o C

266

nS

t r

상승 시간

89

nS

t d(off)

그림 지연 시간

685

nS

t f

하강 시간

139

nS

E켜짐

켜 전환 손실

88.9

mJ

E끄다

그림 전환 손실

67.4

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=750A, R 지 =0.5Ω,

볼트 GE =-8V/+15V

L초 =40nH ,T vj =175o C

280

nS

t r

상승 시간

95

nS

t d(off)

그림 지연 시간

715

nS

t f

하강 시간

166

nS

E켜짐

켜 전환 손실

102

mJ

E끄다

그림 전환 손실

72.7

mJ

나 SC

SC 데이터

t P≤8μs, 볼트 GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, 볼트 CEM ≤1200V

2500

A

t P≤6μs, 볼트 GE =15V,

T vj =175o C,V CC =800V, 볼트 CEM ≤1200V

2400

A

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

볼트 F

다이오드 앞 전압

나 F =750A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

볼트

나 F =750A,V GE =0V,T vj =125o C

1.65

나 F =750A,V GE =0V,T vj =175o C

1.65

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =-8V, L초 =40nH ,T vj =25o C

79.7

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

369

A

Erec

역회복 에너지

23.3

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V GE =-8V, L초 =40nH ,T vj =125o C

120

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

400

A

Erec

역회복 에너지

39.5

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-8V, L초 =40nH ,T vj =175o C

151

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

423

A

Erec

역회복 에너지

49.7

mJ

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 의 R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

LCE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.80

mΩ

R thJC

교차점 -~까지 -사례 (perIGBT ) 부대와 부대 (D당) 요오드)

0.048 0.088

K/W

R thCH

사례 -~까지 -열기 (perIGBT )케이스-히트싱크 (p er 다이오드) 케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.028 0.051 0.009

K/W

분

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 스크루브 M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

지

무게 의 모듈

350

지