GD650HFX170P1S,IGBT 모듈,STARPOWER

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =650A,V GE =15V, T j =25 o C

1.90

2.35

V

I C =650A,V GE =15V, T j =125 o C

2.35

I C =650A,V GE =15V, T j =150 o C

2.45

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =24.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

2.3

ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

72.3

nF

C res

역전환

용량

1.75

nF

Q G

게이트 요금

V GE =- 15...+15V

5.66

μC

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R 고프 =2.7Ω, V GE =±15V,T j =25 o C

468

nS

t r

상승 시간

86

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

850

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

363

nS

E 에

켜 Switching

손실

226

mJ

E 끄다

그림 전환

손실

161

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R 고프 =2.7Ω, V GE =±15V,T j = 125o C

480

nS

t r

상승 시간

110

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

1031

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

600

nS

E 에

켜 Switching

손실

338

mJ

E 끄다

그림 전환

손실

226

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R 고프 =2.7Ω, V GE =±15V,T j = 150o C

480

nS

t r

상승 시간

120

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

1040

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

684

nS

E 에

켜 Switching

손실

368

mJ

E 끄다

그림 전환

손실

242

mJ

I SC

SC 데이터

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150 o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

2600

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 앞

전압

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =650A,V GE =0V,T j =25 o C

1.85

2.30

V

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =650A,V GE =0V,T j = 125o C

1.98

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =650A,V GE =0V,T j = 150o C

2.02

Q r

회복 전하

V R =900V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

176

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

765

A

E rec

역회복 에너지

87.4

mJ

Q r

회복 전하

V R =900V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

292

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

798

A

E rec

역회복 에너지

159

mJ

Q r

회복 전하

V R =900V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

341

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

805

A

E rec

역회복 에너지

192

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

δR/R

오차 of R 100

T C = 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K