간단한 소개 ction
IGBT 모듈 , STARPOWER에서 생산됨. 1700V 650A
기능
일반적인 응용 분야
절대 최대 등급 T C=25o C 아니면 그렇지 않으면 주의
IGBT
상징 |
설명 |
값 |
단위 |
볼트 CES |
컬렉터-이미터 전압 |
1700 |
볼트 |
볼트 GES |
게이트-이미터 전압 |
±20 |
볼트 |
나 C |
콜렉터 전류 @ T C=25o C @ T C= 100o C |
1073 650 |
A |
나 Cm |
펄스 콜렉터 전류 t p =1ms |
1300 |
A |
PD |
최대 전력 분산 @ T j =175o C |
4.2 |
kW |
다이오드
상징 |
설명 |
값 |
단위 |
볼트 RRM |
반복 피크 역전압 |
1700 |
볼트 |
나 F |
다이오드 연속 전면 커 임대료 |
650 |
A |
나 Fm |
다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms |
1300 |
A |
모듈
상징 |
설명 |
값 |
단위 |
T jmax |
최대 분기 온도 |
175 |
o C |
T jop |
작동점 온도 |
-40에서 +150 |
o C |
T STG |
보관 온도 범위 |
-40에서 +150 |
o C |
볼트 ISO |
격리 전압 RMS,f=50Hz,t= 1분 |
4000 |
볼트 |
IGBT 특성 T C=25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
사양 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
단위 |
|
볼트 CE (sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 |
나 C=650A,V GE =15V, T j =25o C |
|
1.90 |
2.35 |
볼트 |
나 C=650A,V GE =15V, T j =125o C |
|
2.35 |
|
|||
나 C=650A,V GE =15V, T j =150o C |
|
2.45 |
|
|||
볼트 GE (th) |
게이트 발산자 문 전압 |
나 C=24.0mA ,볼트 CE =볼트 GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
볼트 |
나 CES |
수집가 절단 -끄다 현재 |
볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V, T j =25o C |
|
|
5.0 |
mA |
나 GES |
게이트 발사자 누출 현재 |
볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
부적절함 |
R Gint |
내부 게이트 저항 ance |
|
|
2.3 |
|
ω |
Cies |
입력 용량 |
볼트 CE =25V,f=1Mhz, 볼트 GE =0V |
|
72.3 |
|
nF |
Cres |
역전환 용량 |
|
1.75 |
|
nF |
|
문의 지 |
게이트 요금 |
볼트 GE =- 15...+15V |
|
5.66 |
|
μC |
t d (켜짐 ) |
턴온 지연 시간 |
볼트 CC =900V,I C=650A, R Gon = 1.8Ω,R 고프 =2.7Ω, 볼트 GE =±15V,T j =25o C |
|
468 |
|
nS |
t r |
상승 시간 |
|
86 |
|
nS |
|
t d (끄다 ) |
그림 지연 시간 |
|
850 |
|
nS |
|
t f |
하강 시간 |
|
363 |
|
nS |
|
E켜짐 |
켜 전환 손실 |
|
226 |
|
mJ |
|
E끄다 |
그림 전환 손실 |
|
161 |
|
mJ |
|
t d (켜짐 ) |
턴온 지연 시간 |
볼트 CC =900V,I C=650A, R Gon = 1.8Ω,R 고프 =2.7Ω, 볼트 GE =±15V,T j = 125o C |
|
480 |
|
nS |
t r |
상승 시간 |
|
110 |
|
nS |
|
t d (끄다 ) |
그림 지연 시간 |
|
1031 |
|
nS |
|
t f |
하강 시간 |
|
600 |
|
nS |
|
E켜짐 |
켜 전환 손실 |
|
338 |
|
mJ |
|
E끄다 |
그림 전환 손실 |
|
226 |
|
mJ |
|
t d (켜짐 ) |
턴온 지연 시간 |
볼트 CC =900V,I C=650A, R Gon = 1.8Ω,R 고프 =2.7Ω, 볼트 GE =±15V,T j = 150o C |
|
480 |
|
nS |
t r |
상승 시간 |
|
120 |
|
nS |
|
t d (끄다 ) |
그림 지연 시간 |
|
1040 |
|
nS |
|
t f |
하강 시간 |
|
684 |
|
nS |
|
E켜짐 |
켜 전환 손실 |
|
368 |
|
mJ |
|
E끄다 |
그림 전환 손실 |
|
242 |
|
mJ |
|
|
나 SC |
SC 데이터 |
t P≤ 10μs,V GE =15V, T j =150o C,V CC = 1000V, 볼트 CEM ≤1700V |
|
2600 |
|
A |
다이오드 특성 T C=25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
사양 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
단위 |
|
볼트 F |
다이오드 앞 전압 |
나 F =650A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
볼트 |
나 F =650A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.98 |
|
|||
나 F =650A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
2.02 |
|
|||
문의 r |
회복 전하 |
볼트 R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j =25o C |
|
176 |
|
μC |
나 RM |
피크 역전 회복 전류 |
|
765 |
|
A |
|
Erec |
역회복 에너지 |
|
87.4 |
|
mJ |
|
문의 r |
회복 전하 |
볼트 R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C |
|
292 |
|
μC |
나 RM |
피크 역전 회복 전류 |
|
798 |
|
A |
|
Erec |
역회복 에너지 |
|
159 |
|
mJ |
|
문의 r |
회복 전하 |
볼트 R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C |
|
341 |
|
μC |
나 RM |
피크 역전 회복 전류 |
|
805 |
|
A |
|
Erec |
역회복 에너지 |
|
192 |
|
mJ |
NTC 특성 T C=25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
사양 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
단위 |
R 25 |
등급 저항 |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
오차 의 R 100 |
T C= 100 o C,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
전력 소산 |
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B값 |
R 2=R 25경험치 [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B값 |
R 2=R 25경험치 [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B값 |
R 2=R 25경험치 [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
모듈 특성 T C=25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
사양 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
단위 |
LCE |
방랑 인덕턴스 |
|
18 |
|
nH |
R CC+EE |
모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로 |
|
0.30 |
|
mΩ |
R thJC |
부문별 (IGB당) T) 부대와 부대 (D당) 요오드) |
|
|
35.8 71.3 |
K/kW |
|
R thCH |
케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-히트싱크 (p er 다이오드) 케이스-히트싱크 (per 모듈) |
|
13.5 26.9 4.5 |
|
K/kW |
|
분 |
단자 연결 토크, 나사 M4 Terminal Connection 토크, 스크루브 M8 장착 토크, 스크루브 M5 |
1.8 8.0 3.0 |
|
2.1 10.0 6.0 |
N.M |
지 |
무게 의 모듈 |
|
810 |
|
지 |
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