GD300HFX170C2S, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1700

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

493

300

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

600

A

P D

최대 전력 분산 T =175 o C

1829

W

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C = 300A,V GE =15V, T j =25 o C

1.85

2.20

V

I C = 300A,V GE =15V, T j =125 o C

2.25

I C = 300A,V GE =15V, T j =150 o C

2.35

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C = 12.0mA,V CE =V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

2.5

ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

36.1

nF

C res

역전환

용량

0.88

nF

Q G

게이트 요금

V GE =- 15...+15V

2.83

μC

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =300A, R G =2.4Ω,

V GE =±15V, T j =25 o C

204

nS

t r

상승 시간

48

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

595

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

100

nS

E 에

켜 Switching

손실

69.3

mJ

E 끄다

그림 전환

손실

63.3

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =300A, R G =2.4Ω

v GE =±15V, T j = 125o C

224

nS

t r

상승 시간

55

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

611

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

159

nS

E 에

켜 Switching

손실

96.8

mJ

E 끄다

그림 전환

손실

99.0

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =300A, R G =2.4Ω

v GE =±15V, T j = 150o C

240

nS

t r

상승 시간

55

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

624

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

180

nS

E 에

켜 Switching

손실

107

mJ

E 끄다

그림 전환

손실

105

mJ

I SC

SC 데이터

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150 o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1200

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 앞

전압

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 = 300A,V GE =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 = 300A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 = 300A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

Q r

회복 전하

V R =900V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

55

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

297

A

E rec

역회복 에너지

32.2

mJ

Q r

회복 전하

V R =900V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125 o C

116

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

357

A

E rec

역회복 에너지

68.2

mJ

Q r

회복 전하

V R =900V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150 o C

396

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

120

A

E rec

역회복 에너지

81.6

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 레시스타 칩에 터미널

0.35

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T)

커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.082

0.129

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (p er 다이오드)

케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.033

0.051

0.010

K/W

M

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

무게 of 모듈

300

g