GD600HFX170C6S,IGBT 모듈,STARPOWER

상징

설명

값

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1700

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

수집가 전류 @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

1069

600

A

I 센티미터

펄스 수집가 전류 t p =1 ms

1200

A

P D

최대 전력 소산 @ T j =175 o C

4166

W

상징

설명

값

UNIT

V RRM

반복 피크 역전압

1700

V

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 연속 전류

600

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

1200

A

상징

설명

값

UNIT

T jmax

최대 분기 온도 성질

175

o C

T jop

작동점 온도

-40 ~까지 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40 ~까지 +125

o C

V Iso

고립 전압 RMS ,f=50 Hz ,t=1 분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (위성 )

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =600A, V GE =15V, T j =25 o C

1.85

2.20

V

I C =600A, V GE =15V, T j =125 o C

2.25

I C =600A, V GE =15V, T j =150 o C

2.35

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C = 12.0mA ,V CE = V GE ,T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

컬렉터 차단

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V,

T j =25 o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

1.1

ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1 MHz ,

V GE =0V

72.3

nF

C res

역전환

용량

1.75

nF

Q G

게이트 요금

V GE =- 15...+15V

5.66

μC

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V, I C =600A, R G = 1.0Ω, V GE =±15V, T j =25 o C

160

nS

t r

상승 시간

67

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

527

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

138

nS

E 에

켜 Switching

손실

154

mJ

E 끄다

그림 전환

손실

132

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V, I C =600A, R G = 1.0Ω, V GE =±15V, T j = 125o C

168

nS

t r

상승 시간

80

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

585

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

168

nS

E 에

켜 Switching

손실

236

mJ

E 끄다

그림 전환

손실

189

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V, I C =600A, R G = 1.0Ω, V GE =±15V, T j = 150o C

192

nS

t r

상승 시간

80

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

624

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

198

nS

E 에

켜 Switching

손실

259

mJ

E 끄다

그림 전환

손실

195

mJ

I SC

SC 데이터

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 o C ,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

2400

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 앞

전압

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =600A, V GE =0V, T j =25 o C

1.80

2.25

V

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =600A, V GE =0V, T j = 125o C

1.90

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =600A, V GE =0V, T j = 150o C

1.95

Q r

회복 전하

V R =900V, I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =600A,

-di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V T j =25 o C

153

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

592

A

E rec

역회복 에너지

76.5

mJ

Q r

회복 전하

V R =900V, I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =600A,

-di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V T j =125 o C

275

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

673

A

E rec

역회복 에너지

150

mJ

Q r

회복 전하

V R =900V, I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =600A,

-di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V T j =150 o C

299

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

690

A

E rec

역회복 에너지

173

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

δR/R

오차 of R 100

T C = 100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B- 값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B- 값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B- 값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC + EE ’

모듈 납 저항, 터미널 칩에게

1.10

mΩ

R thJC

교차점 -~까지 -사례 (1 IGBT )

교차점 -~까지 -사례 (1 다이오드 )

0.036

0.073

K/W

R thCH

사례 -~까지 -열기 (1 IGBT )

사례 -~까지 -열기 (1 다이오드 )

케이스-히트싱크 (모듈당)

0.027

0.055

0.009

K/W

M

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크 , 나사 M 5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

무게 모듈

350

g