GD100PFX170C6SG, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

값

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

1700

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

±20

볼트

나 C

콜렉터 전류 @ T C=25o C @ T C=100o C

161

100

A

나 Cm

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

200

A

PD

최대 전력 분산 @ T j =175o C

592

W

상징

설명

값

단위

볼트 RRM

반복적 피크 역전압 연령

1700

볼트

나 F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

100

A

나 Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

200

A

상징

설명

값

단위

볼트 RRM

반복적 피크 역전압 연령

1800

볼트

나 O

평균 출력 전류 5 0Hz/60Hz, 사인파

100

A

나 FSM

서지 전류 t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1600

1400

A

나 2t

나 2t값,t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

13000

9800

A2초

상징

설명

값

단위

T jmax

최대 접합부 온도(인버터) 최대 접합부 온도 (정류기)

175

150

o C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

볼트 ISO

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

4000

볼트

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

나 C=100A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

볼트

나 C=100A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

나 C=100A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

나 C=4.0mA ,볼트 CE =볼트 GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

볼트

나 CES

수집가 절단 -끄다 현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

나 GES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T j =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

7.5

ω

Cies

입력 용량

볼트 CE =25V,f=1Mhz, 볼트 GE =0V

12.0

nF

Cres

역전환 용량

0.29

nF

문의 지

게이트 요금

볼트 GE =-15 ...+15V

0.94

μC

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =900V,I C=100A, R 지 =4.7Ω,V GE =±15V, L초 =46nH ,T j =25o C

257

nS

t r

상승 시간

47

nS

t d(off)

그림 지연 시간

377

nS

t f

하강 시간

382

nS

E켜짐

켜 전환 손실

24.6

mJ

E끄다

그림 전환 손실

16.7

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =900V,I C=100A, R 지 =4.7Ω,V GE =±15V, L초 =46nH, T j =125o C

284

nS

t r

상승 시간

56

nS

t d(off)

그림 지연 시간

444

nS

t f

하강 시간

555

nS

E켜짐

켜 전환 손실

34.9

mJ

E끄다

그림 전환 손실

23.1

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =900V,I C=100A, R 지 =4.7Ω,V GE =±15V, L초 =46nH, T j =150o C

286

nS

t r

상승 시간

60

nS

t d(off)

그림 지연 시간

465

nS

t f

하강 시간

636

nS

E켜짐

켜 전환 손실

38.0

mJ

E끄다

그림 전환 손실

26.1

mJ

나 SC

SC 데이터

t P≤10μs, 볼트 GE =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, 볼트 CEM ≤1700V

400

A

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 F

다이오드 앞 전압

나 F =100A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

볼트

나 F =100A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

나 F =100A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

문의 r

회복 전하

볼트 R =900V,I F =100A,

-di/dt=1590A/μs,V GE =-15V L초 =46nH ,T j =25o C

13.3

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

107

A

Erec

역회복 에너지

8.79

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =900V,I F =100A,

-di/dt=1300A/μs,V GE =-15V L초 =46nH, T j =125o C

25.0

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

111

A

Erec

역회복 에너지

18.6

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =900V,I F =100A,

-di/dt=1230A/μs,V GE =-15V L초 =46nH, T j =150o C

28.0

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

112

A

Erec

역회복 에너지

20.4

mJ

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 F

다이오드 앞 전압

나 C=100A, T j =150o C

0.85

볼트

나 R

역방향 전류

T j =150o C,V R =1800V

3.0

mA

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 의 R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

R thJC

교차점 -~까지 -사례 (perIGBT -인버터 ) 접합부-외피 (다이오드-인버터당 )접합부-외각 (다이오드 당-정류기 )

0.253 0.424 0.289

K/W

R thCH

사례 -~까지 -열기 (perIGBT -인버터 )외각-히트싱크 (다이오드 당-인버터 )외각-히트싱크 (다이오드 당-정류기 )케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.105 0.176 0.120 0.009

K/W

분

장착 토크, 스ikulu:M5

3.0

6.0

N.M

지

무게 의 모듈

300

지