GD1000HFA120C6S_B39, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

가치

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

1200

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

±20

볼트

나 CN

구현된 집합기 Cu 임대료

1000

A

나 C

콜렉터 전류 @ T F =75o C

765

A

나 CRM

반복적 최고 수집가 현재 tp 제한적 작성자 T vjop

2000

A

PD

최대 전력 소산 이온 @ T F =75o C,T j =175o C

1515

W

상징

설명

가치

단위

볼트 RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

볼트

나 FN

구현된 집합기 Cu 임대료

1000

A

나 F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

765

A

나 FRM

반복적 최고 앞으로 현재 tp 제한적 작성자 T vjop

2000

A

나 FSM

서지 전류 t p =10ms @ T vj =25o C@ T vj =150o C

4100

3000

A

나 2t

나 2t- 값 ,t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

84000

45000

A2초

상징

설명

값

단위

T jmax

최대 분기 온도

175

o C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

볼트 ISO

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

4000

볼트

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

나 C=1000A,V GE =15V, T vj =25o C

1.45

1.90

볼트

나 C=1000A,V GE =15V, T vj =125o C

1.65

나 C=1000A,V GE =15V, T vj =175o C

1.80

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

나 C=24.0mA ,볼트 CE =볼트 GE , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

볼트

나 CES

수집가 절단 -끄다 현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

나 GES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T vj =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

0.5

ω

Cies

입력 용량

볼트 CE =25V,f=100kHz, 볼트 GE =0V

51.5

nF

Cres

역전환 용량

0.36

nF

문의 지

게이트 요금

볼트 GE =-15...+15V

13.6

μC

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=900A,

R 지 =0.51Ω, L 초 =40nH, 볼트 GE =-8V/+15V

T vj =25o C

330

nS

t r

상승 시간

140

nS

t d(off)

그림 지연 시간

842

nS

t f

하강 시간

84

nS

E켜짐

켜 전환 손실

144

mJ

E끄다

그림 전환 손실

87.8

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=900A,

R 지 =0.51Ω, L 초 =40nH, 볼트 GE =-8V/+15V

T vj =125o C

373

nS

t r

상승 시간

155

nS

t d(off)

그림 지연 시간

915

nS

t f

하강 시간

135

nS

E켜짐

켜 전환 손실

186

mJ

E끄다

그림 전환 손실

104

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=900A,

R 지 =0.51Ω, L 초 =40nH, 볼트 GE =-8V/+15V

T vj =175o C

390

nS

t r

상승 시간

172

nS

t d(off)

그림 지연 시간

950

nS

t f

하강 시간

162

nS

E켜짐

켜 전환 손실

209

mJ

E끄다

그림 전환 손실

114

mJ

나 SC

SC 데이터

t P≤ 8μs,V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V,

볼트 CEM ≤1200V

3200

A

t P≤6μs,V GE =15V,

T vj =175o C,V CC =800V,

볼트 CEM ≤1200V

3000

A

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

볼트 F

다이오드 앞 전압

나 F =1000A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

볼트

나 F =1000A,V GE =0V,T vj =125o C

1.70

나 F =1000A,V GE =0V,T vj =175o C

1.60

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, L초 =40nH ,T vj =25o C

91.0

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

441

A

Erec

역회복 에너지

26.3

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, L초 =40nH ,

T vj =125o C

141

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

493

A

Erec

역회복 에너지

42.5

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, L초 =40nH ,

T vj =175o C

174

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

536

A

Erec

역회복 에너지

52.4

mJ

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 의 R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

LCE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC ’+EE ’

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.80

mΩ

R thJF

교차점 -~까지 -냉각 액체로 세척하세요 (perIGBT )접합부-냉각 유체 (D당) 요오드) △V/ △t=10.0 dm 3/분 ,T F =75o C

0.066 0.092

K/W

분

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 스크루브 M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

지

무게 의 모듈

400

지

P

최대 압력 냉각 회로

3

봉재

∆p

냉각 회로 압력 강하 쿠잇

∆V/∆t=10.0dm 3/min;T F =25o C;냉각 유체=50% 물/50% 에틸렌 글리콜

47

마바르