MZx400, Жылдам қалпына келтіру диоды модулі, TECHSEM

VRRM

Түрі & Сызба

600В

800V

1000В

1200В

1400V

1600V

1800V

1800V

MZx400-06-410F3

MZx400-08-410F3

MZx400-10-410F3

MZx400-12-410F3

MZx400-14-410F3

MZx400-16-410F3

MZx400-18-410F3

MZ400-18-410F3G

Символ

Сипаттама

Сынақ шарттары

Tj( ℃)

Мәні

Бірлік

МИН

Түрі

Макс

IF(AV)

Орташа алға қарай ағым

180。жартылай синусоидалық 50Hz

Бір тараптан жылыту, TC=85 。C

140

400

A

IF (RMS)

RMS алға қарай ағым

628

A

IRRM

Қайталау шыңы ағым

vRRM-де

140

90

mА

IFSM

Сурж алға ағым

10ms жартылай синусоидалық толқын VR=0.6VRRM

140

9.5

kA

I²t

Фузия координациясы үшін I2t

451

10³A²с

VFO

Төменгі кернеу

140

1.10

V

радио жабайынан кейін

Алға қарай еңіс кедергісі

0.27

mΩ

VFM

Шың алға қарай кернеу

IFM= 1200A

25

2.00

V

trr

Кері Қалпына Келтіру Уақыты

IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR=50V

140

4

μs

25

3

μs

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

Әр чип үшін бір жақты салқындатылған

0.090

℃ /W

Rth(c-h)

Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор

Әр чип үшін бір жақты салқындатылған

0.020

℃ /W

VISO

Изоляция кернеуі

50Гц,R.M.S,t= 1мин,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

Fm

Терминал қосылысының қозғалтқышы ((M12)

12.0

14.0

Н·м

Қондырғының қозғалыс моменті ((M8)

10.0

12.0

Н·м

TVj

Байланыс температурасы

-40

140

℃

ТСТГ

Сақталған температура

-40

125

℃

Wt

Салмағы

3310

g

Нысан

410F3