GD75HFX170C1S, IGBT Модуль, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

136

75

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

150

A

PD

Максимум Күш Диссипация @ T vj =175o C

539

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

75

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

150

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=75А,В ГЭ =15В, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=75А,В ГЭ =15В, T vj =125o C

2.25

IC=75А,В ГЭ =15В, T vj =150o C

2.35

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=3.0mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

8.5

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

9.03

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.22

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

0.71

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=75А, R G=6.8Ω,V ГЭ =±15В, LS =60nH ,T vj =25o C

237

н

t r

Күтерілу уақыты

59

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

314

н

t f

Күз мезгілі

361

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

25.0

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

9.5

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=75А, R G=6.8Ω,V ГЭ =±15В, LS =60nH ,T vj =125o C

254

н

t r

Күтерілу уақыты

70

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

383

н

t f

Күз мезгілі

524

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

33.3

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

15.1

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=75А, R G=6.8Ω,V ГЭ =±15В, LS =60nH ,T vj =150o C

257

н

t r

Күтерілу уақыты

75

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

396

н

t f

Күз мезгілі

588

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

36.9

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

16.6

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150o C,V CC =1000V

V КЕМ ≤1700В

300

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =75А,В ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =75А,В ГЭ =0В,Т vj =125o C

1.90

IF =75А,В ГЭ =0В,Т vj =150o C

1.95

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =75А,

-di/dt=700A/μs,V ГЭ =-15В LS =60nH ,T vj =25o C

16.4

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

58

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

7.2

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =75А,

-di/dt=600A/μs,V ГЭ =-15В LS =60nH ,T vj =125o C

30.8

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

64

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

15.8

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =75А,

-di/dt=600A/μs,V ГЭ =-15В LS =60nH ,T vj =150o C

31.4

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

64

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

18.2

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

30

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.65

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.278 0.467

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.160 0.268 0.050

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

150

g