GD75HFX170C1S, IGBT Модуль, STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o C @ T Ц =100 o Ц

136

75

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

150

А

P D

Максимум Күш Диссипация @ T vj =175 o Ц

539

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

75

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

150

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =75А,В ГЭ =15В, T vj =25 o Ц

1.85

2.20

V

I Ц =75А,В ГЭ =15В, T vj =125 o Ц

2.25

I Ц =75А,В ГЭ =15В, T vj =150 o Ц

2.35

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =3.0 mА ,V CE = V ГЭ , T vj =25 o Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25 o Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

8.5

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

9.03

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.22

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

0.71

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =75А, R G =6.8Ω,V ГЭ =±15В, LS =60 nH ,T vj =25 o Ц

237

н

t r

Күтерілу уақыты

59

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

314

н

t f

Күз мезгілі

361

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

25.0

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

9.5

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =75А, R G =6.8Ω,V ГЭ =±15В, LS =60 nH ,T vj =125 o Ц

254

н

t r

Күтерілу уақыты

70

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

383

н

t f

Күз мезгілі

524

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

33.3

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

15.1

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =75А, R G =6.8Ω,V ГЭ =±15В, LS =60 nH ,T vj =150 o Ц

257

н

t r

Күтерілу уақыты

75

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

396

н

t f

Күз мезгілі

588

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

36.9

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

16.6

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150 o Ц ,V CC =1000V

V КЕМ ≤1700В

300

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =75А,В ГЭ =0В,Т vj =2 5o Ц

1.80

2.25

V

I F =75А,В ГЭ =0В,Т vj =12 5o Ц

1.90

I F =75А,В ГЭ =0В,Т vj =15 0o Ц

1.95

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =75А,

-di/dt=700A/μs,V ГЭ =-15В LS =60 nH ,T vj =25 o Ц

16.4

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

58

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

7.2

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =75А,

-di/dt=600A/μs,V ГЭ =-15В LS =60 nH ,T vj =125 o Ц

30.8

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

64

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

15.8

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =75А,

-di/dt=600A/μs,V ГЭ =-15В LS =60 nH ,T vj =150 o Ц

31.4

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

64

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

18.2

мЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

30

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.65

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш -дәйексіз -Іс (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.278 0.467

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.160 0.268 0.050

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

150

g