GD300HFX170C6S,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o Ц @ Т Ц = 100o Ц

493

300

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

600

А

P D

Максималды қуаттылық =175 o Ц

1829

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1700

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

300

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

600

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o Ц

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минуты

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =300A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц

1.85

2.20

V

I Ц =300A,V ГЭ =15В, T ж =125 o Ц

2.25

I Ц =300A,V ГЭ =15В, T ж =150 o Ц

2.35

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 12,0 мА,В CE =V ГЭ , T ж =25 o Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25 o Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

2.5

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

36.1

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.88

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

2.83

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =300A, R Қон =3,3Ω,

R Гофф =4.7Ω, V ГЭ =±15В,

T ж =25 o Ц

213

н

t r

Күтерілу уақыты

83

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

621

н

t f

Күз мезгілі

350

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

79.2

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

70.2

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =300A, R Қон =3,3Ω,

R Гофф =4.7Ω, V ГЭ =±15В,

T ж = 125o Ц

240

н

t r

Күтерілу уақыты

92

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

726

н

t f

Күз мезгілі

649

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

104

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

108

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =300A, R Қон =3,3Ω, R Гофф =4.7Ω,

V ГЭ =±15В, T ж = 150o Ц

248

н

t r

Күтерілу уақыты

95

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

736

н

t f

Күз мезгілі

720

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

115

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

116

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

T ж =150 o C,V CC = 1000В, V КЕМ ≤1700В

1200

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.80

2.25

V

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 125o Ц

1.90

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 150o Ц

1.95

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V ГЭ =-15В T ж =25 o Ц

82.5

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

407

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

46.6

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V ГЭ =-15В T ж =125 o Ц

138

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

462

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

92.2

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V ГЭ =-15В T ж =150 o Ц

154

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

460

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

109

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

δR/R

Ауыспалы туралы R 100

T Ц = 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

1.10

mΩ

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.082 0.129

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.029 0.046 0.009

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

350

g