Қысқаша таныстыру:
CRRC компаниясы шығарған жоғары вольтты, бірлік қосқыш IGBT модульдері. 3300V 1200A.
Сипаттамалар
- SPT+чип-наборы төменгі ауысу шығындары үшін
- Төмен VCE отыру
- Төмен басқару қуаты
- Жоғары қуат циклдау қабілеті үшін AlSiC негізі
- Төмен жылу кедергісі үшін AlN субстраты
Үлгілік қолдану
- Тартқыш драйвтар
- DC шоппер
- Орташа кернеу инверторлары/конвертерлері
- Орташа кернеу UPS жүйесі
- Жел энергиясы жүйесі
Максималды номиналды мәндер
Параметр |
Символ |
Шарттары |
М ішінде |
М ось |
Бірлік |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
ККЕЖ |
VGE=0V,Tvj≥25°C |
|
3300 |
V |
Тұрақты тағам коллектор тогы |
IC |
TC =80 °C |
|
1200 |
А |
Жинақтың ең жоғары тогы |
ICM |
tp =1ms,Tc=80°C |
|
2400 |
А |
Қақпа эмиттер кернеуі |
VGE |
|
-20 |
20 |
V |
Толық қуаттың шашырауы |
Ptot |
TC =25°C, әр қосқыш үшін(IGBT) |
|
10500 |
W |
DC алға ағым |
IF |
|
|
1200 |
А |
Шың алға ағым |
МКБЖ |
tp = 1 мс |
|
2400 |
А |
Қаттылық тогы |
IFSM |
VR = 0 В, Tvj = 125 °C,
tp = 10 мс, жартылай синусоидалық
|
|
9000 |
А |
IGBT Қысқа Цикл SOA |
tpsc |
VCC = 2500 В, VCEM CHIP ≤ 3300V VGE ≤ 15 В, Tvj ≤ 125 °C |
|
10 |
μs |
Изоляция кернеуі |
Визоль |
1 мин, f = 50 Гц |
|
10200 |
V |
Байланыс температурасы |
TVj |
|
|
150 |
°C |
Бүйірдегі жұмыс температурасы |
Теледидар |
|
-50 |
125 |
°C |
Корпус температурасы |
Тc |
|
-50 |
125 |
°C |
Сақтау температурасы |
ТСТГ |
|
-50 |
125 |
°C |
|
Орнату моменттері
|
M с |
Негізгі жылу өткізгіш, M6 бұрандалар |
4 |
6 |
Нм
|
Mt1 |
Негізгі терминалдар, M8 бұрандалар , |
8 |
10 |
Mt2 |
Көмекші терминалдар, M6 бұрандалар |
2 |
3 |
IGBT сипаттамасы
Параметр |
Символ |
Шарттары |
минуты |
түрі |
макс |
Бірлік |
Коллектор (- эмиттер) бұзылу кернеуі |
V(BR) CES |
VGE = 0 V, IC= 12 mA, Tvj = 25 °C
|
3300 |
|
|
V
|
Коллектор эмиттерінің қанықтылық кернеуі |
VCE отыру
|
C = 1200 A, VGE= 15 В
|
Tvj=25°C |
|
3.1 |
3.4 |
V |
Tvj=125°C |
|
3.8 |
4.3 |
V |
Коллектордың ток ағыны үзілді |
ICES |
VCE = 3300 V, VGE = 0 V
|
Tvj=25°C |
|
|
12 |
mА |
Tvj=125°C |
|
|
120 |
mА |
Қақпаның ағып кету тогы |
ИГЭС |
VCE = 0 В, VGE = ± 20 В, Tvj =125 °C
|
-500 |
|
500 |
nA
|
Gate-эмиттер шекті кернеуі |
VGE (th) |
IC =240mA,VCE =VGE,Tvj =25°C |
5.5 |
|
7.5 |
V |
Қақпалық төлем |
Бас басқарма |
IC =1200 A VCE =1800V VGE = -15V ..15 В |
|
12.1 |
|
μC |
Кіріс сыйымдылығы |
Қалғандары |
VCE = 25 В, V GE = 0 В, f = 1 МГц, Tvj = 25 °C
|
|
187 |
|
нФ |
Шығарылымдық сыйымдылық |
Коэ |
|
11.57 |
|
нФ |
Кері байланыс сыйымдылығы |
Крес |
|
2.22 |
|
нФ |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
тд ((олтырау)
|
VCC = 1800 В, IC = 1200A,
RG = 3.9Ω ,VGE =±15В
L σ = 280nH, индуктивті жүктеме
|
Tvj=25°C |
|
750 |
|
н |
Tvj=125°C |
|
750 |
|
н |
Күтерілу уақыты |
tr |
Tvj=25°C |
|
400 |
|
н |
Tvj=125°C |
|
470 |
|
н |
Сөндіру кешігу уақыты |
тд (оң) |
Tvj=25°C |
|
1600 |
|
н |
Tvj=125°C |
|
1800 |
|
н |
Күз мезгілі |
tf |
Tvj=25°C |
|
1100 |
|
н |
Tvj=125°C |
|
1200 |
|
н |
Қосылу - өшіру шығыны |
Эон
|
Tvj=25°C |
|
1400 |
|
мЖ |
Tvj=125°C |
|
1800 |
|
мЖ |
Қалпына келтіру кезінде энергияның жоғалуы |
Еоф
|
Tvj=25°C |
|
1300 |
|
мЖ |
Tvj=125°C |
|
1700 |
|
мЖ |
Қысқа тоқ |
ISC
|
VCC = 2500 В, VGE = 15В, L σ = 280nH, индуктивті жүктеме |
|
5000
|
|
А
|
Диод сипаттамасы
Параметр |
Символ |
Шарттары |
минуты |
түрі |
макс |
Бірлік |
Алға кернеу |
VF
|
IF = 1200 A |
Tvj = 25 °C |
|
2.3 |
2.6 |
V |
Tvj = 125 °C |
|
2.35 |
2.6 |
V |
Кері Қалпына Келтіру Ағымы |
Irr
|
VCC= 1800 V, IC= 1200 A,
RG=2.3Ω ,VGE=±15V, L σ = 280nH,индуктивті жүктеме
|
Tvj = 25 °C |
|
900 |
|
А |
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
А |
Алынған айыппұл |
Qrr
|
Tvj = 25 °C |
|
700 |
|
μC |
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
μC |
Кері Қалпына Келтіру Уақыты |
trr
|
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
н |
Tvj = 125 °C |
|
2200 |
|
н |
Кері қалпына келтіру энергиясы |
Ерек
|
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
мЖ |
Tvj = 125 °C |
|
1300 |
|
мЖ |
EN
