GD800HFA120C2S_B20 ,IGBT Модульі,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

Өткінші қақпа-эмиттер кернеуі

±20 ±30

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C@ Т C=95o C

1280

800

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1600

A

PD

Максималды қуаттылық vj =175o C

3191

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодтің үзілмейтін алдыңғы токы нент

800

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1600

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +175-ке дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

4000

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC= 800А,В ГЭ =15В, T vj =25o C

1.30

1.75

V

IC= 800А,В ГЭ =15В, T vj =125o C

1.45

IC= 800А,В ГЭ =15В, T vj =150o C

1.50

IC= 800А,В ГЭ =15В, T vj =175o C

1.55

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=32.0mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.5

6.1

7.0

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

0.38

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

156

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

1.10

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-8...+15В

10.3

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=800А, R G=1,2Ω,

V ГЭ =-8V/+15V, T vj =25o C

338

н

t r

Күтерілу уақыты

174

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

1020

н

t f

Күз мезгілі

100

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

65.2

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

88.8

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=800А, R G=1,2Ω,

V ГЭ =-8V/+15V, T vj =125o C

398

н

t r

Күтерілу уақыты

203

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

1140

н

t f

Күз мезгілі

183

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

96.6

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

109

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=800А, R G=1,2Ω,

V ГЭ =-8V/+15V, T vj =150o C

413

н

t r

Күтерілу уақыты

213

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

1140

н

t f

Күз мезгілі

195

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

105

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

113

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=800А, R G=1,2Ω,

V ГЭ =-8V/+15V, T vj =175o C

419

н

t r

Күтерілу уақыты

223

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

1142

н

t f

Күз мезгілі

205

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

110

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

115

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤8μs, V ГЭ =15В,

T vj =150o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

3300

A

ISC

SC деректері

t P≤6μс, V ГЭ =15В,

T vj =175o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

3000

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF = 800А,В ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.85

2.30

V

IF = 800А,В ГЭ =0В,Т vj =125o C

1.85

IF = 800А,В ГЭ =0В,Т vj =150o C

1.85

IF = 800А,В ГЭ =0В,Т vj =175o C

1.85

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =800А,

-di⁄dt=5510A⁄μs,V ГЭ =-8V, T vj =25o C

28.6

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

311

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

13.9

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =800А,

-di⁄dt=4990A⁄μs,V ГЭ =-8V, T vj =125o C

56.8

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

378

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

23.7

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =800А,

-di⁄dt=4860A⁄μs,V ГЭ =-8V, T vj =150o C

66.3

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

395

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

26.7

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =800А,

-di⁄dt=4790A⁄μs,V ГЭ =-8V, T vj =175o C

72.1

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

403

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

28.6

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.42

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.047 0.083

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.031 0.055 0.010

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

320

g