IGBT модулі GD950HTX75P6H Srarpower

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

750

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

ICN

Коллекторды іске асыру рент

950

A

IC

Коллектор токы @ T F =75o C

450

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1900

A

PD

Максималды қуат тарату ация @ T F =75o C T vj =175o C

877

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

750

V

IБФ

Коллекторды іске асыру рент

950

A

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

450

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1900

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T vjop

Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз

Жалғастық уақыт ішінде 10 секунд үшін 30 секунд, кез келген жағдайда әрбір өмірбаянда ең көп 3000 рет

-40-дан +150-ге дейін +150-ден +175 дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 мИН

2500

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC= 450А,В ГЭ =15В, T vj =25o C

1.35

1.60

V

IC= 450А,В ГЭ =15В, T vj =150o C

1.60

IC= 450А,В ГЭ =15В, T vj =175o C

1.65

IC=950A,V ГЭ =15В, T vj =25o C

1.75

IC=950A,V ГЭ =15В, T vj =175o C

2.35

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=9.60mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

4.9

5.8

6.5

V

IC=9.60mА ,V CE =V ГЭ , T vj =175 o C

4.1

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

0.7

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =50V,f=100kHz, V ГЭ =0В

69.1

нФ

Cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

2.31

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

1.05

нФ

QG

Қақпалық төлем

V CE =400V,I C =450А, V ГЭ =-8...+15В

3.29

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I C=450А, R G=2,4Ω,

V ГЭ =-8V/+15V, LСек =24нГн,

T vj =25o C

191

н

t r

Күтерілу уақыты

83

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

543

н

t f

Күз мезгілі

158

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

16.8

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

20.5

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I C=450А, R G=2,4Ω,

V ГЭ =-8V/+15V, LСек =24нГн,

T vj =150o C

207

н

t r

Күтерілу уақыты

96

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

594

н

t f

Күз мезгілі

190

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

22.5

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

24.5

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I C=450А, R G=2,4Ω,

V ГЭ =-8V/+15V, LСек =24нГн,

T vj =175o C

208

н

t r

Күтерілу уақыты

103

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

613

н

t f

Күз мезгілі

190

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

26.7

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

26.9

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤6μs,V ГЭ =15В,

4800

A

T vj =25o C,V CC =400В, V КЕМ ≤750В

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.40

1.65

V

IF = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =150o C

1.35

IF = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =175o C

1.30

IF =950A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.75

IF =950A,V ГЭ =0В,Т vj =175o C

1.75

Qr

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-di/dt=5520A/μs,V ГЭ =-8В LСек =24nH ,T vj =25o C

16.4

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

222

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

4.50

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-ди/дt=4810А/мкс,V ГЭ =-8В LСек =24nH ,T vj =150o C

32.2

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

283

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

8.19

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-ди/дt=4630А/мкс,V ГЭ =-8В LСек =24nH ,T vj =175o C

36.3

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

292

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

9.03

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T C=100 o Cр 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2— 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2— 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

8

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.75

mΩ

△p

△V/ △t=10,0 dm 3/мИН ,T F =75o C

64

мбар

p

Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма

T негізгі тақта <40o C

T негізгі тақта 40o C

(относительное басық)

2.5 2.0

бар

R тЖЖ

Бөлшеуіш —дейін —Салқындату Сұйық (perIGBT )Түйіннен-салқындату сұйықтығына (D бойынша йод) △V/ △t=10,0 dm 3/мИН ,T F =75o C

0.098 0.140

0.114 0.160

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М4 бұрандасы

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

750

g