IGBT модулі GD950HTX75P6H Srarpower

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

750

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I КН

Коллекторды іске асыру рент

950

А

I Ц

Коллектор токы @ T F =75 o Ц

450

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1900

А

P D

Максималды қуат тарату ация @ T F =75 o Ц T vj =175 o Ц

877

W

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

750

V

I БФ

Коллекторды іске асыру рент

950

А

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

450

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1900

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o Ц

T vjop

Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз

Жалғастық уақыт ішінде 10 секунд үшін 30 секунд, кез келген жағдайда әрбір өмірбаянда ең көп 3000 рет

-40-дан +150-ге дейін +150-ден +175 дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минуты

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T vj =25 o Ц

1.35

1.60

V

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T vj =150 o Ц

1.60

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T vj =175 o Ц

1.65

I Ц =950A,V ГЭ =15В, T vj =25 o Ц

1.75

I Ц =950A,V ГЭ =15В, T vj =175 o Ц

2.35

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =9.60 mА ,V CE = V ГЭ , T vj =25 o Ц

4.9

5.8

6.5

V

I Ц =9.60 mА ,V CE = V ГЭ , T vj =175 o Ц

4.1

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25 o Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

0.7

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =50V,f=100kHz, V ГЭ =0В

69.1

нФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

2.31

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

1.05

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V CE =400V,I Ц =450А, V ГЭ =-8...+15В

3.29

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I Ц =450А, R G =2,4Ω,

V ГЭ =-8V/+15V, L S =24нГн,

T vj =25 o Ц

191

н

t r

Күтерілу уақыты

83

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

543

н

t f

Күз мезгілі

158

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

16.8

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

20.5

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I Ц =450А, R G =2,4Ω,

V ГЭ =-8V/+15V, L S =24нГн,

T vj =150 o Ц

207

н

t r

Күтерілу уақыты

96

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

594

н

t f

Күз мезгілі

190

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

22.5

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

24.5

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I Ц =450А, R G =2,4Ω,

V ГЭ =-8V/+15V, L S =24нГн,

T vj =175 o Ц

208

н

t r

Күтерілу уақыты

103

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

613

н

t f

Күз мезгілі

190

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

26.7

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

26.9

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤6μs,V ГЭ =15В,

4800

А

T vj =25 o C,V CC =400В, V КЕМ ≤750В

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =2 5o Ц

1.40

1.65

V

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =150 o Ц

1.35

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =175 o Ц

1.30

I F =950A,V ГЭ =0В,Т vj =2 5o Ц

1.75

I F =950A,V ГЭ =0В,Т vj =175 o Ц

1.75

Q r

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-di/dt=5520A/μs,V ГЭ =-8В L S =24 nH ,T vj =25 o Ц

16.4

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

222

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

4.50

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-ди/дt=4810А/мкс,V ГЭ =-8В L S =24 nH ,T vj =150 o Ц

32.2

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

283

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

8.19

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-ди/дt=4630А/мкс,V ГЭ =-8В L S =24 nH ,T vj =175 o Ц

36.3

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

292

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

9.03

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T Ц =100 o Ц р 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

8

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.75

mΩ

△ p

△ V/ △ t=10,0 dm 3/минуты ,T F =75 o Ц

64

мбар

p

Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма

T негізгі тақта <40 o Ц

T негізгі тақта 40o Ц

(относительное басық)

2.5 2.0

бар

R тЖЖ

Бөлшеуіш -дәйексіз -Салқындату Сұйық (perIGBT )Түйіннен-салқындату сұйықтығына (D бойынша йод) △ V/ △ t=10,0 dm 3/минуты ,T F =75 o Ц

0.098 0.140

0.114 0.160

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М4 бұрандасы

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

750

g